[发明专利]介电组合物和使用该介电组合物制造的多层陶瓷电子部件

权利要求书

1.一种介电组合物，包括具有由ABO₃表示的钙钛矿结构的介电颗粒，其中，所述介电颗粒具有芯-壳结构，在所述芯-壳结构中，基于分布在所有所述介电颗粒中的添加剂的平均含量，壳中的所述添加剂的含量为15%或更低。

2.根据权利要求1所述的介电组合物，其中，所述添加剂的含量在所述壳中以5nm的间隔来测量。

3.根据权利要求1所述的介电组合物，其中，所述A包括从钡（Ba）、锶（Sr）、铅（Pb）、以及钙（Ca）组成的组中选出的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的介电组合物，其中，所述B包括从钛（Ti）和锆（Zr）组成的组中选出的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的介电组合物，其中，所述添加剂包括包含三价离子的稀土元素。

6.根据权利要求1所述的介电组合物，其中，所述添加剂是从钪（Sc）、钇（Y）、镧（La）、锕（Ac）、铈（Ce）、镨（Pr）、钕（Nd）、钷（Pm）、钐（Sm）、铕（Eu）、钆（Gd）、铽（Tb）、镝（Dy）、钬（Ho）、铒（Er）、铥（Tm）、镱（Yb）和钌（Ru）组成的组中选出的一种或多种。

7.根据权利要求1所述的介电组合物，其中，所述介电颗粒包括从Ba_mTiO₃（0.995≤m≤1.010）、(Ba_1-XCa_x)_m(Ti_1-yZr_y)O₃（0.995≤m≤1.010，0≤x≤0.10，0<y≤0.20）和Ba_m(Ti_1-xZr_x)O₃（0.995≤m≤1.010，x≤0.10）；以及其中部分地溶解有一种或多种稀土元素的Ba_mTiO₃（0.995≤m≤1.010）、(Ba_1-XCa_x)_m(Ti_1-yZr_y)O₃（0.995≤m≤1.010，0≤x≤0.10，0<y≤0.20）和Ba_m(Ti_1-xZr_x)O₃（0.995≤m≤1.010，x≤0.10）组成的组中选出的一种或多种。

8.一种多层陶瓷电子部件，包括：

陶瓷体，所述陶瓷体包括介电层，每个所述介电层均具有0.48μm或更小的平均厚度；以及

内部电极，所述内部电极在所述陶瓷体内布置成面向彼此并且使所述介电层位于所述内部电极之间，

其中，所述介电层包括介电组合物，所述介电组合物包括具有由ABO₃表示的钙钛矿结构的介电颗粒，所述介电颗粒具有芯-壳结构，在所述芯-壳结构中，基于分布在所有所述介电颗粒中的添加剂的平均含量，壳中的所述添加剂的含量为15%或更低。

9.根据权利要求8所述的多层陶瓷电子部件，其中，所述添加剂的含量在所述壳中以5nm的间隔来测量。

10.根据权利要求8所述的多层陶瓷电子部件，其中，所述A包括从钡（Ba）、锶（Sr）、铅（Pb）、以及钙（Ca）组成的组中选出的一种或多种。

11.根据权利要求8所述的多层陶瓷电子部件，其中，所述B包括从钛（Ti）和锆（Zr）组成的组中选出的一种或多种。

12.根据权利要求8所述的多层陶瓷电子部件，其中，所述添加剂包括包含三价离子的稀土元素。

13.根据权利要求8所述的多层陶瓷电子部件，其中，所述添加剂是从钪（Sc）、钇（Y）、镧（La）、锕（Ac）、铈（Ce）、镨（Pr）、钕（Nd）、钷（Pm）、钐（Sm）、铕（Eu）、钆（Gd）、铽（Tb）、镝（Dy）、钬（Ho）、铒（Er）、铥（Tm）、镱（Yb）和钌（Ru）组成的组中选出的一种或多种。

14.根据权利要求8所述的多层陶瓷电子部件，其中，所述介电颗粒包括从Ba_mTiO₃（0.995≤m≤1.010）、(Ba_1-XCa_x)_m(Ti_1-yZr_y)O₃（0.995≤m≤1.010，0≤x≤0.10，0<y≤0.20）和Ba_m(Ti_1-xZr_x)O₃（0.995≤m≤1.010，x≤0.10）；以及其中部分地溶解有一种或多种稀土元素的Ba_mTiO₃（0.995≤m≤1.010），(Ba_1-XCa_x)_m(Ti_1-yZr_y)O₃（0.995≤m≤1.010，0≤x≤0.10，0<y≤0.20）和Ba_m(Ti_1-xZr_x)O₃（0.995≤m≤1.010，x≤0.10）组成的组中选出的一种或多种。