[发明专利]一种ROM存储器及其版图无效
| 申请号： | 201310021444.9 | 申请日： | 2013-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN103093823A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 于跃;郑坚斌 | 申请（专利权）人： | 苏州兆芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/12 | 分类号： | G11C17/12;H01L27/112 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 rom 存储器 及其 版图 | ||
1.一种ROM存储器，包括：至少一个MOS管、位线和字线，其特征在于，每个MOS管的漏极对应着至少两条位线。
2.根据权利要求1所述ROM存储器，其特征在于，所述ROM存储器包括一个MOS管和三条位线。
3.根据权利要求1所述ROM存储器，其特征在于，所述ROM存储器包括两个MOS管和三条位线，且每个MOS管的漏极对应着三条位线。
4.根据权利要求3所述ROM存储器，其特征在于，两个MOS管共用源极，且所述源极接地。
5.根据权利要求1所述ROM存储器，其特征在于，所述ROM存储器包括两个MOS管和四条位线，且每个MOS管的漏极对应着两条位线。
6.根据权利要求5所述ROM存储器，其特征在于，两个MOS管的栅极连接同一字线。
7.根据权利要求1所述ROM存储器，其特征在于，所述ROM存储器包括至少四个以阵列方式排布的MOS管；
其中，沿第一方向的同一行MOS管的栅极连接同一字线；
沿第二方向的同一列MOS管中，相邻的两个MOS管共用源极，且沿第二方向的同一列MOS管的漏极对应着两条位线。
8.根据权利要求7所述ROM存储器版图，其特征在于，所述第一方向和第二方向垂直。
9.一种ROM存储器版图，包括至少一个MOS管区、字线区和位线区，其特征在于，至少两个位线区与一个MOS管区的漏极金属区交叠。
10.根据权利要求9所述ROM存储器版图，其特征在于，所述漏极金属区沿第一方向延伸，且位于MOS管区的漏极区内。
11.根据权利要求10所述ROM存储器版图，其特征在于，所述位线区沿第二方向延伸。
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