[发明专利]一种雪崩光电二极管过剩噪声因子测量系统有效
| 申请号： | 201310021677.9 | 申请日： | 2013-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN103091568A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 赵彦立;李奕键;涂俊杰 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G01R29/26 | 分类号： | G01R29/26 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 雪崩 光电二极管 过剩 噪声 因子 测量 系统 | ||
1.一种雪崩光电二极管过剩噪声因子测量系统，其特征在于，包括：光源，光耦合组件以及检测单元；
所述检测单元包括：芯片测试工装夹具，偏置器，数字源表以及噪声功率测试设备；
所述光源通过所述光耦合组件照射在待测雪崩光电二极管样品上，样品雪崩光电二极管通过所述芯片测试工装夹具与所述偏置器相连，所述数字源表与所述偏置器的直流端口相连，所述偏置器交流端口连接所述放大器输入端，所述噪声功率测试设备连接所述放大器输出端。
2.如权利要求1所述的雪崩光电二极管过剩噪声因子测量系统，其特征在于，还包括：放大器；所述放大器为低噪声放大器，接在所述数字源表以及所述噪声功率测试设备之间。
3.如权利要求1所述的雪崩光电二极管过剩噪声因子测量系统，其特征在于：所述光源为稳定光源。
4.如权利要求1所述的雪崩光电二极管过剩噪声因子测量系统，其特征在于：所述光耦合组件是透镜光纤或聚焦透镜或者其他光耦合聚焦装置。
5.如权利要求1所述的雪崩光电二极管过剩噪声因子测量系统，其特征在于：所述噪声功率测试设备为噪声系数分析仪或者精密噪声功率计。
6.如权利要求1所述的雪崩光电二极管过剩噪声因子测量系统，其特征在于，所述芯片测试工装夹具包括：高频探针以及芯片测试夹具。
7.如权利要求1所述的雪崩光电二极管过剩噪声因子测量系统，其特征在于，还包括：校准单元；所述校准单元用于对所述检测单元的参数校准。
8.如权利要求7所述的雪崩光电二极管过剩噪声因子测量系统，其特征在于，所述校准单元包括：标准噪声源；所述标准噪声源与所述检测单元输入端相连。
9.如权利要求1所述的雪崩光电二极管过剩噪声因子测量系统，其特征在于，还包括：电磁屏蔽单元；所述电子屏蔽单元用于屏蔽测量环境中的电磁信号以及光信号。
10.如权利要求1所述的雪崩光电二极管过剩噪声因子测量系统，其特征在于，所述电磁屏蔽单元包括：电磁屏蔽暗室。
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