[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

至少一第一栅极设置于一半导体基底上；以及

第三栅极，设置于一浅沟槽隔离中，其中该第一栅极部分重叠该第三栅极与该浅沟槽隔离，且该第三栅极包括至少一突出部。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第三栅极的该突出部的一顶面实质上高于该浅沟槽隔离的一顶面。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中该浅沟槽隔离设置于该半导体基底中，该突出部位于该第一栅极下方，且该第一栅极部分重叠该突出部。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中该突出部位于该第一栅极的一侧。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其中该突出部的一顶面实质上介于该半导体基底的一原始表面与该第一栅极的一顶面。

6.如权利要求1所述的半导体装置，另包括：

第二栅极；

第一介电层设置于该半导体基底与该第一栅极之间；以及

第二介电层设置于该第一栅极与该第二栅极之间。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其中该第一介电层位于该第一栅极与该第三栅极之间，且该第一介电层顺应性覆盖该突出部。

8.如权利要求6所述的半导体装置，其中该第一栅极包括浮置栅极(floating gate)，该第二栅极包括控制栅极(control gate)，且该第三栅极包括抹除栅极(erase gate)。

9.一种半导体装置，包括：

至少二第一栅极设置于一半导体基底上；以及

第三栅极设置于一第一浅沟槽隔离中，二该第一栅极均部分重叠该第三栅极，且该第三栅极包括至少一突出部。

10.如权利要求9所述的半导体装置，另包括至少一第二浅沟槽隔离设置于该半导体基底中。

11.如权利要求10所述的半导体装置，其中各该第一栅极分别部分重叠该第一浅沟槽隔离与该第二浅沟槽隔离。

12.如权利要求10所述的半导体装置，其中该第三栅极未设置于该第二浅沟槽隔离中。

13.如权利要求12所述的半导体装置，其中该第二浅沟槽隔离的一宽度实质上小于该第一浅沟槽隔离的一宽度。

14.如权利要求9所述的半导体装置，其中该第三栅极的该突出部的一顶面高于该第一浅沟槽隔离的一顶面。

15.如权利要求9所述的半导体装置，其中该第一浅沟槽隔离设置于该半导体基底中，且二该第一栅极的至少一者部分重叠该突出部。

16.如权利要求9所述的半导体装置，其中该突出部位于二该第一栅极之间，且该突出部的一顶面实质上介于该半导体基底的一原始表面与各该第一栅极的一顶面。

17.如权利要求9所述的半导体装置，另包括：

第二栅极；

第一介电层设置于该半导体基底与各该第一栅极之间；以及

第二介电层设置于各该第一栅极与该第二栅极之间。

18.如权利要求17所述的半导体装置，其中该第二栅极覆盖二该第一栅极以及该第三栅极。

19.如权利要求17所述的半导体装置，其中该第一介电层位于各该第一栅极与该第三栅极之间，且该第一介电层顺应性覆盖该突出部。

20.如权利要求17所述的半导体装置，其中各该第一栅极包括浮置栅极(floating gate)，该第二栅极包括控制栅极(control gate)，且该第三栅极包括抹除栅极(erase gate)。