[发明专利]氧化锆电阻存储器薄膜制备方法及其阻变特性的测试方法

权利要求书

1.氧化锆电阻存储器薄膜制备方法，其特征在于：首先以氧化锆溶胶为前驱液，以铝酸镧单晶基片的钇钡铜氧超导薄膜为基板提拉氧化锆薄膜，然后采用浸渍提拉法在超导电极上制得氧化锆凝胶薄膜，再将其进行退火处理后自然冷却，最后对其进行顶电极的溅射，即得到氧化锆电阻存储器薄膜。

2.根据权利要求1所述的氧化锆电阻存储器薄膜制备方法，其特征在于：所述氧化锆溶胶是将正丁醇锆、乙酰丙酮和无水乙醇以1:1:40-45的摩尔比混合，然后将混合液在磁力搅拌器上搅拌1-2h至溶液澄清，再将其密封好陈化20-24h得到，所述氧化锆溶胶的制备在相对湿度不大于40%RH的手套箱中完成。

3.根据权利要求1或2所述的氧化锆电阻存储器薄膜制备方法，其特征在于：所述退火处理前将氧化锆薄膜放置于空气中自然干燥5-10min。

4.根据权利要求3所述的氧化锆电阻存储器薄膜制备方法，其特征在于：所述退火处理在500℃的退火炉中进行，所述退火处理的时间为15-20min。

5.根据权利要求4所述的氧化锆电阻存储器薄膜制备方法，其特征在于：所述顶电极的溅射在真空度为1×10^-3Pa的溅射仪中进行，溅射时间为10-15min，所述溅射仪中溅射靶材为铂，纯度为99.9%，所述溅射仪上设有带有周期性直径为2mm微孔的掩模板。

6.根据权利要求1～5任一所述的制备方法制备的氧化锆电阻存储器薄膜阻变特性的测试方法，其特征在于：其具体步骤如下：

步骤1，将氧化锆电阻存储器薄膜采用四根引线法进行连接，用金属铟将引线与测试点进行连接，其中两根引线连接顶电极铂层其分离并独立，另外两根引线连接底电极钇钡铜氧超导薄膜其分离并独立；

步骤2，将连接有四根引线的氧化锆电阻存储器薄膜固定在样品台上，然后将其放入材料综合物性测量仪中进行伏安特性曲线测试。

7.根据权利要求6所述的氧化锆电阻存储器薄膜阻变特性的测试方法，其特征在于：所述步骤1中引线采用金线，纯度为99.9%。

8.根据权利要求6或7所述的氧化锆电阻存储器薄膜阻变特性的测试方法，其特征在于：所述步骤2中材料综合物性测量仪设置为电学性能测试，即伏安特性模式，并且温度以10K/min的降温速度降至50K，温度达到50K后保温15min，然后后进行伏安特性曲线测试，电流保护限分别设为1-100mA。