[发明专利]可切换滤波器和设计结构

权利要求书

1.一种方法，包括：

形成至少一个压电滤波器结构，所述至少一个压电滤波器结构包括在压电基底上形成的多个电极，包括：

在所述压电基底上形成具有多个指状物的固定电极；

在所述压电基底之上形成具有多个指状物的可动电极；以及

形成与所述可动电极的所述多个指状物中的一个或多个指状物对准的致动器。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述可动电极被形成为地电极，在被致动时，所述可动电极的所述多个指状物变为与所述固定电极的所述多个指状物交错。

3.如权利要求1所述的方法，其中，所述可动电极被形成为Vin电极，在被致动时，所述Vin电极的所述多个指状物变为与所述地电极的所述多个指状物交错。

4.如权利要求1所述的方法，其中，形成所述致动器包括在所述压电基底中蚀刻出沟槽并将金属或金属合金沉积在所述沟槽中。

5.如权利要求1所述的方法，其中，形成所述致动器包括使所述致动器与所述可动电极的所述多个指状物对准。

6.如权利要求1所述的方法，其中，形成所述致动器包括形成比所述可动电极的所述多个指状物的数量少的致动器。

7.如权利要求1所述的方法，其中，所述至少一个压电滤波器结构是表面声波（SAW）滤波器。

8.如权利要求7所述的方法，其中，形成所述SAW滤波器包括：

形成包括交错的信号电极和地电极的Vin叉指换能器（IDT）；以及

形成包括交错的信号电极和地电极的Vout IDT。

9.如权利要求8所述的方法，其中，形成所述可动电极包括将所述可动电极定位在所述Vin IDT或所述Vout IDT的所述信号电极的上方。

10.如权利要求8所述的方法，其中，形成所述可动电极包括将所述可动电极定位在所述Vin IDT或所述Vout IDT的地电极的上方。

11.如权利要求1所述的方法，其中，形成所述可动电极包括：

在所述固定电极和所述致动器之上形成绝缘体层；

对所述绝缘体层进行构图以暴露所述固定电极；

在所述绝缘体层的图形中并在所述固定电极之上沉积牺牲材料；

在所述牺牲材料上形成所述可动电极，所述可动电极被定位为使其多个指状物与所述固定电极的所述多个指状物交错；

在所述可动电极之上形成附加的牺牲材料；

将至少一个致动器形成在所述附加的牺牲材料之上并与所述可动电极的所述多个指状物中的至少一个对准；

在所述附加的牺牲材料之上形成帽盖层；

在所述帽盖层中形成至少一个通气孔；

通过所述至少一个通气孔对所述牺牲材料和所述附加的牺牲材料开孔，以在所述可动电极附近形成上部腔和下部腔；以及

用材料来封闭所述至少一个通气孔。

12.如权利要求11所述的方法，其中，形成所述附加的牺牲材料包括：

在所述牺牲材料上沉积绝缘体材料；

对所述绝缘体材料进行构图；以及

将所述附加的牺牲材料沉积在所述绝缘体材料的所述图形中。

13.如权利要求11所述的方法，其中，形成所述附加的牺牲材料包括：

将所述附加的牺牲材料沉积在所述牺牲材料上；以及

对所述附加的牺牲材料进行构图。

14.如权利要求1所述的方法，其中，所述致动器被形成在所述可动电极的上方和下方。

15.一种滤波器，包括至少一个滤波器，所述至少一个滤波器包括在压电基底上形成的多个电极，其中所述多个电极包括可动电极和固定电极，所述可动电极和固定电极二者都具有多个指状物，所述多个指状物被定位为在开启状态下互相交错。

16.如权利要求15所述的滤波器，其中，所述可动电极是地电极，且所述固定电极是信号电极。

17.如权利要求15所述的滤波器，其中，所述可动电极是信号电极，且所述固定电极是地电极。

18.如权利要求15所述的滤波器，还包括位于所述可动电极的上方和下方的多个致动器。