[发明专利]一种显示装置及制备方法

权利要求书

1.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括蓝光背光源和液晶显示面板，所述液晶显示面板包括上基板、下基板以及位于上基板和下基板之间的液晶层；

所述上基板或下基板包括彩膜层，所述彩膜层包括黑矩阵图形，以及红像素图形和绿像素图形；

所述红像素图形所在层或所述绿像素图形所在层与黑矩阵图形所在层之间设置有第一钝化层；

所述红像素图形所在层和所述绿图形所在层之间设置有第二钝化层；

其中，所述红像素图形为蓝光激发下发射红光的量子点材料薄膜图形，绿像素图形为蓝光激发下绿光的量子点材料薄膜图形。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述上基板包括上玻璃基板和所述彩膜层，所述下基板为TFT阵列基板；其中，所述黑矩阵图形所在层位于所述红像素图形所在层和绿像素图形所在层的上方。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述上基板包括上玻璃基板，所述下基板包括TFT阵列基板和所述彩膜层；其中，所述黑矩阵图形所在层位于所述红像素图形所在层和绿像素图形所在层的下方。

4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述红像素图形和所述绿像素图形的上方设置有蓝光滤波层。

5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述蓝光背光源为LED背光源。

6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括：上偏光片和下偏光片；其中上偏光片位于上基板背向液晶层的一侧，下偏光片位于下基板背向液晶层的一侧。

7.根据权利要求1~6任一权项所述的装置，其特征在于，所述量子点材料为Ⅱ-Ⅵ族或Ⅲ-Ⅴ族元素组成的纳米颗粒。

8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述薄膜图形的厚度为10~30nm。

9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述量子点材料为ZnS，所述红像素图形的量子点尺寸为9~10nm，所述绿像素图形的量子点尺寸为7~8nm。

10.一种权利要求1~9任一权项所述显示装置的制备方法，其特征在于，该制备方法包括：将液晶显示面板和蓝光背光源封装，其中，在液晶显示面板的上基板或下基板上制备彩膜层，所述制备彩膜层的方法包括：

形成图案化的黑矩阵图形；

在形成黑矩阵图形的基板上形成第一钝化层；

在形成第一钝化层的基板上形成红像素图形；

在形成红像素图形的基板上形成第二钝化层；

在形成第二钝化层的基板上形成绿像素图形；

其中，所述红像素图形为蓝光激发下发射红光的量子点材料薄膜图形，绿像素图形为蓝光激发下绿光的量子点材料薄膜图形。

11.一种权利要求1~9任一权项所述显示装置的制备方法，其特征在于，该制备方法包括：将上基板和下基板对盒后的液晶显示面板和蓝光背光源封装，其中，在液晶显示面板的上基板或下基板上制备彩膜层，所述制备彩膜层的方法包括：

形成图案化的黑矩阵图形；

在形成黑矩阵图形的基板上形成第一钝化层；

在形成第一钝化层的基板上形成绿像素图形；

在形成红像素图形的基板上形成第二钝化层；

在形成第二钝化层的基板上形成红像素图形；

在形成绿像素图形的基板上形成第三钝化层；

其中，所述红像素图形为蓝光激发下发射红光的量子点材料薄膜图形，绿像素图形为蓝光激发下绿光的量子点材料薄膜图形。

12.根据权利要求10或11所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：在上基板和下基板对盒后，且在将液晶面板与蓝光背光源封装前，在上基板背向液晶层的一侧制备蓝光滤波层，所述蓝光滤波层在所述红像素图形和所述绿像素图形的上方。

13.根据权利要求10或11所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：在上基板和下基板对盒后，且在将液晶面板与蓝光背光源封装前，在上基板背向液晶层的一侧贴合上偏光片，在下基板背向液晶层的一侧贴合下偏光片。