[发明专利]一种低电压电流限制电路

权利要求书

1.一种低电压电流限制电路，其特征是：输入端和输出端之间连接一个用来产生感应电流的导通晶体管，输入端与导通晶体管的集电极间连接一个感测电阻；上述晶体管有一个用来接收控制信号的控制电极，此控制信号因控制晶体管电流的电流限制信号而产生。

2.根据权利要求1所述的一种低电压电流限制电路，其特征是：对应于上述感应电流，第一对晶体管产生的电流比起到改变感应电流幅度的功能；第一对晶体管的基极相连，其中第一个晶体管的发射极与输入端连接一个电阻，第二个晶体管的发射极与上述导通晶体管的集电极间连接一个电阻。

3.根据权利要求2所述的一种低电压电流限制电路，其特征是：第一对晶体管的基极与电压输入端连接一个驱动晶体管，此晶体管的基极与集电极相连形成一个二极管，其基极-发射极电压大于第一对晶体管的基极-发射极电压，并且上述驱动晶体管存在低交流阻抗和低直流阻抗。

4.根据权利要求3所述的一种低电压电流限制电路，其特征是：第二对晶体管分别连接到第一对晶体管并作为其有源负载，其中第二个晶体管的基极与集电极相连形成一个二极管；第二对晶体管的基极与发射极分别相连形成一个回路，并且发射极耦合到输出端；第二对晶体管中第一个晶体管的发射极与输出端之间串连两个电阻，其中第一个电阻与输出端相连，并与第二个电阻相连形成第一个节点；第二个电阻与上述晶体管的发射极相连形成第二个节点；第一个节点的电压大于输出电压，第二个节点的电压大于第一个节点；第二对晶体管中第一个晶体管比第二个晶体管的发射极面积大；当由上述导通晶体管产生的电流低于电流限制值时，第二对晶体管中第一个晶体管工作在饱和状态下；当第二对晶体管中第一个和第二个晶体管的电流比低于阈值时，第一个晶体管比第二个晶体管的操作电流密度低；当上述电流比达到阈值时，第二对晶体管中第一个晶体管的集电极将产生电流限制信号，并且此晶体管用来保持第一对和第二对晶体管的集电极-发射极电压大致相等；上述电流比阈值由第二对晶体管的发射极面积比决定。

5.根据权利要求4所述的一种低电压电流限制电路，其特征是：当上述电流限制信号产生时，一个正反馈回路可以降低电流比阈值；随着上述导通晶体管的集电极-发射极电压增加到第一个阈值水平以上，电流比阈值以第一个预定速率减小，当上述集电极-发射极电压增加到第二个阈值水平以上时，电流比阈值的下降率将改变；随着温度的增加上述第二个阈值将减小。

6.根据权利要求4所述的一种低电压电流限制电路，其特征是：第三个晶体管的发射极连接到上述第一个节点，第三个晶体管的基极耦合到第二对晶体管中第一个晶体管的集电极，以形成一个回路；上述回路包括一个用来接收折返电流限制信号的节点。

7.根据权利要求6所述的一种低电压电流限制电路，其特征是：折返电路连接在第二个节点与上述感测电阻间，其中第三个电阻，一个齐纳二极管和第六个晶体管的发射极-集电极串联，第四个电阻串联在第六个晶体管的集电极与基极间，第五个电阻串联在第六个晶体管的基极与发射极间。

8.根据权利要求1所述的一种低电压电流限制电路，其特征是：电路工作在低输入/输出电压差下，以限制导通晶体管产生的电流。