[发明专利]一种能提高LED光效的芯片加工方法无效
| 申请号： | 201310023352.4 | 申请日： | 2013-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN103943744A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 赖鸿章 | 申请（专利权）人： | 同方光电科技有限公司;同方股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 led 芯片 加工 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种能提高LED光效的芯片加工方法，它包括衬底（1）和生长在衬底（1）上的外延片（2），其方法步骤为：
①在器件上表面进行激光划片至衬底（1）与外延片（2）界面附近，形成沟槽（3）；
②采用高温酸液对沟槽（3）进行腐蚀，获得期望的形貌；
③采用隐形切割工艺在器件内部正对沟槽（3）的位置形成内划痕（4）；
④以内划痕（4）的位置进行裂片，分为各独立的发光二级管芯片。
2.根据权利要求1所述的能提高LED光效的芯片加工方法，其特征在于，所述沟槽（3）的深度在5至20微米之间。
3.根据权利要求1所述的能提高LED光效的芯片加工方法，其特征在于，所述高温酸液腐蚀方法采用硫酸、磷酸或者二者混合酸液在100摄氏度以上的温度下进行。
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