[发明专利]鳍式场效应晶体管的制作方法

权利要求书

1.一种鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成硬掩膜层；

利用光刻和刻蚀工艺，在所述硬掩膜层和半导体衬底中形成至少两个沟槽；

利用回蚀工艺将沟槽和沟槽之间的硬掩膜层变窄；

在沟槽中填充氧化层，所述氧化层的高度低于所述沟槽的高度，所述氧化层在各沟槽中的高度一致；

利用变窄的硬掩膜层作为掩模，去除被所述硬掩膜层和所述氧化层暴露出来的半导体衬底；

去除所述硬掩膜层，以使得所述半导体衬底高于所述氧化层的表面的部分构成所述鳍式场效应晶体管的鳍。

2.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于，在所述硬掩膜层和半导体衬底中形成沟槽的刻蚀工艺采用等离子体干法刻蚀。

3.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于，去除所述硬掩膜层形成鳍之后还包括：利用DIO₃氧化露出来的半导体衬底，使得所述半导体衬底的表面形成氧化硅；利用DHF进行刻蚀以去除所述氧化硅；所述利用DIO₃氧化和利用DHF进行刻蚀的工艺交替进行，直至所述鳍的表面变得光滑。

4.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述硬掩膜层为垫氧化层和氮化硅层的双层结构，所述垫氧化层位于所述氮化硅层和半导体衬底之间。

5.如权利要求4所述的鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于，去除所述硬掩膜层的方法为湿法刻蚀工艺。

6.如权利要求5所述的鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺采用DHF进行。

7.如权利要求5所述的鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺先采用热磷酸进行，再利用DHF进行。

8.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于，将沟槽和沟槽之间的硬掩膜层变窄的回蚀工艺为湿法刻蚀工艺。

9.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述在沟槽中填充氧化层、所述氧化层的高度低于所述沟槽的高度的工艺包括：利用沉积工艺在所述沟槽中和硬掩膜层表面形成所述氧化层，所述氧化层覆盖过所述硬掩膜层；利用化学机械研磨工艺磨平所述氧化层的表面；利用回蚀工艺刻蚀所述氧化层直至露出沟槽之间的部分半导体衬底。

10.如权利要求9所述的鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于，刻蚀所述氧化层直至露出沟槽之间的部分半导体衬底的回蚀工艺为湿法刻蚀，所述湿法刻蚀的刻蚀剂为HF水溶液或者BOE溶液。

11.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于，在所述硬掩膜层和半导体衬底中形成的所述沟槽之间的间距相等。