[发明专利]半导体集成电路以及内部电压产生方法

权利要求书

1.一种半导体集成电路，其特征是，所述半导体集成电路包括：

一第一内部电压产生器，包括一PMOS晶体管和一第一比较器，所述PMOS晶体管接收一第一电压并输出一第一电压产生器输出，所述PMOS晶体管的栅极耦接并接收所述第一比较器的输出端的一第一驱动电压；

一第二内部电压产生器，包括一NMOS晶体管、一第二比较器以及提供所述第二比较器一泵浦功率电压的一电压泵浦产生器，所述NMOS晶体管接收一第二电压并输出一第二电压产生器输出，所述第二比较器通过比较一参考电压与所述第一电压产生器输出以及所述第二电压产生器输出之一者输出一第二驱动电压，所述NMOS晶体管的栅极耦接并接收所述第二比较器的输出端的所述第二驱动电压；以及

一功率控制电路可切换地当半导体集成电路启动时，致能所述第一内部电压产生器输出所述第一电压产生器输出，或者当半导体集成电路启动后，致能所述第二内部电压产生器输出所述第二电压产生器输出；

其中，所述功率控制电路根据所述泵浦功率电压的一电压位准以及一内部电压的电压位准提供一启动输出，并通过一反相器可切换地致能所述第一电压产生器输出或所述第二电压产生器输出，以及通过所述第一电压产生器输出和所述第二电压产生器输出产生所述内部电压。

2.如权利要求1所述的半导体集成电路，其特征是，所述第一电压提供高于所述第二电压的电压位准。

3.如权利要求1所述的半导体集成电路，其特征是，所述功率控制电路通过分别致能所述第一比较器或所述第二比较器以可切换地致能所述第一电压产生器输出或所述第二电压产生器输出。

4.一种内部电压产生方法，适用于一半导体集成电路内产生一内部电压，其特征是，所述内部电压产生方法包括：

提供一第一电压至一第一内部电压产生器的一PMOS晶体管并输出一第一电压产生器输出；

提供一第二电压至一第二内部电压产生器的一NMOS晶体管并输出一第二电压产生器输出；

提供一第三电压至所述第一内部电压产生器的一第一比较器，其中所述第三电压作为一第一供应电源；

提供一泵浦功率电压至所述第二内部电压产生器的一第二比较器，其中所述泵浦功率电压作为一第二供应电源，以及所述第二比较器通过比较一参考电压与所述第一电压产生器输出以及所述第二电压产生器输出之一者输出一第二驱动电压；以及

可切换地当半导体集成电路启动时，致能所述第一内部电压产生器输出，或者当半导体集成电路启动后，致能所述第二内部电压产生器输出，其中所述第一内部电压产生器输出的致能是通过从所述第一内部电压产生器的所述第一比较器提供一第一驱动电压至所述PMOS晶体管的栅极，所述第二内部电压产生器输出的致能是通过从所述第二内部电压产生器的所述第二比较器提供一第二驱动电压至所述NMOS晶体管的栅极，其中所述第一供应电源大于或等于所述第一驱动电压，所述第二供应电源大于或等于所述第二驱动电压；以及

根据所述泵浦功率电压的一电压位准以及一内部电压的一电压位准提供一启动输出，并通过一反相器可切换地致能所述第一电压产生器输出或所述第二电压产生器输出，以及通过所述第一电压产生器输出和所述第二电压产生器输出产生所述内部电压。

5.如权利要求4所述的内部电压产生方法，其特征是，所述内部电压产生方法更包括：以高于所述第二电压的电压提供所述第一电压。

6.如权利要求4所述的内部电压产生方法，其特征是：可切换地致能所述第一电压产生器输出或所述第二电压产生器输出的步骤是通过分别致能所述第一比较器或所述第二比较器。