[发明专利]电子装置有效

专利信息
申请号: 201310024490.4 申请日: 2013-01-15
公开(公告)号: CN103364471A 公开(公告)日: 2013-10-23
发明(设计)人: 王旨玄;叶佳俊;辛哲宏 申请(专利权)人: 元太科技工业股份有限公司
主分类号: G01N27/414 分类号: G01N27/414
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 代理人: 寿宁;张华辉
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 电子 装置
【权利要求书】:

1.一种电子装置,其特征在于其包括:

显示面板,具有显示区以及与所述显示区连接的周边区,所述显示面板包括:

主动元件阵列基板,具有位于所述显示区的多个主动元件以及位于所述周边区的湿度感测元件,其中所述湿度感测元件为具有第一金属氧化物半导体层的薄膜晶体管;

对向基板,相对于所述主动元件阵列基板;及

显示介质,位于所述主动元件阵列基板与所述对向基板之间;以及

处理单元,与所述湿度感测元件电性连接,且所述处理单元根据来自所述湿度感测元件的感测电流计算出湿度值。

2.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于其中所述的主动元件阵列基板还具有:位于所述周边区的温度感测元件,所述温度感测元件与所述处理单元电性连接,而所述处理单元根据所述温度感测元件的特性计算出所述主动元件阵列基板的温度。

3.根据权利要求2所述的电子装置,其特征在于其中所述的温度感测元件为环绕所述显示区的金属线,而所述处理单元根据所述金属线的阻值计算出所述主动元件阵列基板的温度。

4.根据权利要求3所述的电子装置,其特征在于其中每一所述的主动元件具有第二栅极、与所述第二栅极重叠的第二金属氧化物半导体层、位于所述第二金属氧化物半导体层相对二端且与所述第二金属氧化物半导体层连接的第二源极及第二漏极,其中所述金属线与所述第二栅极或所述第二源极属于同一膜层。

5.根据权利要求2所述的电子装置,其特征在于其中所述的湿度感测元件还具有:与所述第一金属氧化物半导体层重叠的第一栅极、位于所述第一金属氧化物半导体层相对二端且与所述第一金属氧化物半导体层连接的第一源极及第一漏极。

6.根据权利要求5所述的电子装置,其特征在于其中所述的处理单元根据所述主动元件阵列基板的温度分别对所述湿度感测元件的所述第一栅极以及所述湿度感测元件的所述第一源极提供第一栅极电压及第一源极电压,且所述处理单元根据通过所述第一金属氧化物半导体层传递至所述第一漏极的所述感测电流、所述第一栅极电压、所述第一源极电压以及所述主动元件阵列基板的温度计算出所述湿度值。

7.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于其中所述的湿度感测元件还具有与所述第一金属氧化物半导体层重叠的第一栅极、位于所述第一金属氧化物半导体层相对二端且与所述第一金属氧化物半导体层连接的第一源极及第一漏极,而每一所述主动元件具有第二栅极、与所述第二栅极重叠的第二金属氧化物半导体层、位于所述第二金属氧化物半导体层相对二端且与所述第二金属氧化物半导体层连接的第二源极及第二漏极,其中所述第一栅极与所述第二栅极属于同一膜层,所述第一金属氧化物半导体层与所述第二金属氧化物半导体层属于同一膜层,所述第一源极、所述第一漏极、所述第二源极以及所述第二漏极属于同一膜层。

8.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于其中所述的主动元件阵列基板还具有保护层,所述保护层覆盖所述些主动元件并至少曝露出所述湿度感测元件的所述第一金属氧化物半导体层。

9.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于其还包括:警示器,与所述湿度感测元件电性连接,且所述警示器根据来自所述湿度感测元件的所述感测电流的值做出对应的反应。

10.根据权利要求9所述的电子装置,其特征在于其中所述的警示器包括:指示灯或蜂鸣器。

11.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于其还包括:防护系统,与所述湿度感测元件电性连接,且所述防护系统根据来自所述湿度感测元件的所述感测电流的值启动或关闭。

12.根据权利要求11所述的电子装置,其特征在于其中所述的防护系统为抽气机。

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