[发明专利]平板式PECVD装置有效
申请号: | 201310024830.3 | 申请日: | 2013-01-23 |
公开(公告)号: | CN103060778A | 公开(公告)日: | 2013-04-24 |
发明(设计)人: | 陈洁欣 | 申请(专利权)人: | 深圳市劲拓自动化设备股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/505 | 分类号: | C23C16/505 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区西乡*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 平板 pecvd 装置 | ||
1.一种平板式PECVD装置,包括用于容置工件的真空腔体和设于真空腔体上方的等离子发射器,其特征在于:
所述等离子发射器包括与所述真空腔体固定的发射盒以及设于发射盒上方的射频阻抗匹配器;
所述发射盒的下方联接有介质窗,发射盒的上方固定设有与射频阻抗匹配器联接的天线体;
所述天线体包括置于发射盒内的天线及用于联接天线与射频阻抗匹配器的连接端头;
所述射频阻抗匹配器外接有射频电源;
所述真空腔体上固设有工艺气体进气管,所述真空腔体上方设有与发射盒对应的安装槽。
2.根据权利要求1所述的平板式PECVD装置,其特征在于,所述PECVD装置还包括:
用于承放工件的工件架,所述真空腔体为长方体形状;
所述真空腔体的两个相对的端面分别设有工件架的进口槽、出口槽;
真空腔体的一侧面设有真空阀。
3.根据权利要求2所述的平板式PECVD装置,其特征在于,所述真空腔体内设有用于支撑工件架的支撑滚轮。
4.根据权利要求3所述的平板式PECVD装置,其特征在于,所述工艺气体进气管位于介质窗的下方;
所述介质窗为石英介质窗;
所述天线包括二根蝶形铜天线。
5.根据权利要求4所述的平板式PECVD装置,其特征在于,所述PECVD装置还包括:
用于容置射频阻抗匹配器的安装盒;
所述连接端头为瓷通端头,所述射频电源的频率为1MHZ至300MHZ。
6.根据权利要求5所述的平板式PECVD装置,其特征在于,所述支撑滚轮为固设于真空腔体侧壁上的密封传动轮;
所述真空腔体两个对应的侧壁均设有2个至6个密封传动轮;
所述密封传动轮的一端伸出于真空腔体的外侧,并与传动机构传动联接。
7.根据权利要求5所述的平板式PECVD装置,其特征在于,所述进口槽、出口槽的外侧均设有密封挡板;
所述工艺气体进气管为联接有一根进气分支管的框形气管;
所述框形气管的外侧均匀地设有若干个出气方向平行于石英介质窗下端面的出气孔。
8.根据权利要求5所述的平板式PECVD装置,其特征在于,所述真空腔体于工件架的进口侧、出口侧均设有用于密封联接的联接孔;
所述真空腔体为二个以上。
9.根据权利要求5所述的平板式PECVD装置,其特征在于,所述真空阀设有真空阀电机;
所述工艺气体进气管的进气端还设有进气阀;
所述PECVD装置还包括与射频电源、真空阀电机、进气阀、传动机构电联接的控制器。
10.根据权利要求6至9任一项所述的平板式PECVD装置,其特征在于,所述等离子发射器、射频阻抗匹配器均为二个,所述安装槽也为二个。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的