[发明专利]陶瓷基板的割断方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种刻划氧化铝基板等陶瓷基板后进行分断的陶瓷基板的割断方法。

背景技术

以往在割断玻璃基板时，是利用刻划装置进行刻划(形成刻划线)，之后利用分断装置予以分断。在利用刻划装置进行刻划的情况下，若刻划深度较浅，则在分断时端面容易产生龟裂。另一方面，若深度较深则容易分离，且之后即便分断后端面的毛刺亦较小、或者不易产生龟裂，端面品质趋于良好。因此，通过将龟裂渗透率加深为例如板厚的80％左右，而可提升品质地进行割断。

但是，由于陶瓷基板比玻璃基板硬，因此在通过刻划和分断进行割断时，刻划轮容易产生磨损。所以，通常在切断时，是通过切割(dicing)来执行分断。

专利文献1中，提出了一种方法，针对陶瓷基板中硬度较低的低温共烧陶瓷基板(LTCC(Low Temperature Co Fired Ceramic)基板)，不进行切割而是进行刻划，从而予以分断。

[先行技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利特开2010-194784号公报

发明内容

[发明所要解决的问题]

发明者等人使用刀尖角度为120°的刻划轮，使针对LTCC基板的龟裂渗透率在10％～80％内变化而进行刻划，之后予以分断。针对分断后的端面，测量中心线平均粗糙度Ra及最大高度Ry，作为粗糙度评估。图1A、图1B是表示所述变化的曲线。此时，如图1A、图1B所示，发明者等人发现：无关于龟裂渗透率，分断后的端面的粗糙度不怎么变化；及龟裂渗透率为20％以下时断面产生龟裂，分断后的端面的品质劣化。

另一方面，本发明者等人发现：在用作电子零件的安装用基板的氧化铝基板等陶瓷基板中，若使用刀尖角度135°以下的刻划轮而增大龟裂渗透率，则存在此种趋势不成立，端面品质反而劣化的情况。

本发明的目的在于通过刻划并分断氧化铝基板等陶瓷基板而予以割断时提升端面品质。

[解决问题的技术手段]

为了解决所述问题，本发明的割断方法是铝系陶瓷基板的割断方法，针对陶瓷基板，利用刀尖角度135°以下(尤其是125°以下、通常为90°以上、尤其是100°以上)的刻划轮，以50％以下(尤其是40％以下、通常为5％以上、尤其是10％以上、例如20～30％)的龟裂渗透率进行刻划，沿着利用所述刻划轮而形成的刻划线进行分断。

于此，所述陶瓷基板可以是氧化铝基板及氮化铝基板中的任一者。

于此，所述刻划步骤中，可以在刻划轮的刀尖角度越小下使龟裂渗透率越低。

[发明的效果]

根据具有此种特征的本发明，针对铝系陶瓷基板、尤其是氧化铝基板或氮化铝基板，以龟裂渗透率为50％以下的状态进行刻划，然后予以分断。这样，可确保端面品质而割断陶瓷基板。

附图说明

图1A是表示针对LTCC基板改变龟裂渗透率时的端面的中心线平均粗糙度Ra的曲线。

图1B是表示针对LTCC基板改变龟裂渗透率时的端面的最大高度Ry的曲线。

图2A是表示刀尖角度100°时针对本发明的对象即氧化铝基板改变龟裂渗透率时的端面的中心线平均粗糙度Ra的曲线。

图2B是表示刀尖角度100°时针对本发明的对象即氧化铝基板改变龟裂渗透率时的端面的最大高度Ry的曲线。

图3A是表示刀尖角度120°时针对本发明的对象即氧化铝基板改变龟裂渗透率时的端面的中心线平均粗糙度Ra的曲线。

图3B是表示刀尖角度120°时针对本发明的对象即氧化铝基板改变龟裂渗透率时的端面的最大高度Ry的曲线。

图4A是表示刀尖角度130°时针对本发明的对象即氧化铝基板改变龟裂渗透率时的端面的中心线平均粗糙度Ra的曲线。

图4B是表示刀尖角度130°时针对本发明的对象即氧化铝基板改变龟裂渗透率时的端面的最大高度Ry的曲线。

图5A是表示使用刀尖角度120°的刻划轮以龟裂渗透率10％刻划氧化铝基板时的端面的图。

图5B是表示使用刀尖角度120°的刻划轮以龟裂渗透率20％刻划氧化铝基板时的端面的图。

图5C是表示使用刀尖角度120°的刻划轮以龟裂渗透率30％刻划氧化铝基板时的端面的图。

图5D是表示使用刀尖角度120°的刻划轮以龟裂渗透率70％刻划氧化铝基板时的端面的图。