[发明专利]集成电路装置及其制造方法

权利要求书

1.一种集成电路装置(integrated circuit device)的制造方法，包括：

刻蚀一衬底以形成一凹处(pit)，该凹处具有低于该衬底的一上表面的一目标深度(target depth)；

测量该凹处以取得一测量深度；

沉积一叠层于该衬底上的至少该凹处中，该叠层包括交替排列的多个有源层与多个绝缘层，其中根据该凹处的该目标深度与该测量深度的一差值来调整该多个绝缘层的至少之一具有的厚度，使得叠层沉积后有源层的最上层的上表面低于衬底的上表面；以及

进行一平坦化工艺以提供一平坦化表面，其中该多个有源层的最上层具有一上表面低于该平坦化表面。

2.根据权利要求1所述的制造方法，更包括根据一图案刻蚀该叠层以在该凹处定义一隔离区，该隔离区使该叠层与一外围区(peripheral region)隔开。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其中进行该平坦化工艺的步骤包括：

形成一阻止层(stopping layer)在该叠层、该隔离区及该外围区上；

沉积一绝缘填充物(insulation fill)在该隔离区中的该阻止层上；

研磨该绝缘填充物至一位于该阻止层上或该阻止层内的水平面(level)；以及

移除位于该衬底的该上表面的一水平面之上的部分该阻止层。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其中该多个绝缘层的至少之一包括一底绝缘层位于该叠层中，该底绝缘层根据该差值具有一目标厚度，使得叠层沉积后有源层的最上层的上表面低于衬底的上表面。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其中该多个绝缘层的至少之一包括一底绝缘层，该底绝缘层根据该差值具有一目标厚度，该制造方法更包括：

测量该底绝缘层以取得一测量厚度；以及

沉积一第二绝缘层在该底绝缘层上并接触该底绝缘层，其中该第二绝缘层根据该底绝缘层的该测量厚度具有一第二厚度，使得叠层沉积后有源层的最上层的上表面低于衬底的上表面。

6.根据权利要求1所述的制造方法，其中该凹处的该目标深度大于该叠层的一厚度，该制造方法更包括：

测量该叠层的该厚度；以及

沉积一上绝缘层在该叠层上，其中该上绝缘层根据该叠层的该测量厚度与该凹处的该测量深度具有一厚度，该上绝缘层的厚度等于该上绝缘层根据该叠层的该测量厚度与该凹处的该测量深度的差值。

7.根据权利要求1所述的制造方法，其中该叠层包括一下部次叠层(lower sub-stack)及一上部次叠层(upper sub-stack)，该下部次叠层包括部分该叠层中的交替排列的该多个有源层与该多个绝缘层，该上部次叠层包括该叠层中的交替排列的其他该多个有源层与该多个绝缘层，其中该多个绝缘层的至少之一包括一中间绝缘层，该中间绝缘层沉积在该下部次叠层与该上部次叠层之间，该制造方法更包括：

测量该下部次叠层的一厚度，该厚度涵盖该下部次叠层中的交替排列的该多个有源层与该多个绝缘层，该测量是在沉积该下部次叠层之后及沉积该上部次叠层之前；以及

沉积该中间绝缘层在该下部次叠层上，其中该中间绝缘层是根据该凹处的该测量深度与该下部次叠层的该厚度具有一厚度，使得在叠层中最上层的有源层的上表面低于衬底的上表面。

8.根据权利要求1所述的制造方法，更包括：

形成多个层间连接器，分别连接于该叠层中的该多个有源层，该多个层间连接器从在该凹处的该叠层中的该多个有源层延伸至一连接器表面，该连接器表面高于该平坦化表面；以及

形成多个图案化导体线于该连接器表面上，且该多个图案化导体线分别连接至该多个层间连接器。