[发明专利]基于PON设备的节电控制电路有效
申请号: | 201310025751.4 | 申请日: | 2013-01-24 |
公开(公告)号: | CN103118307A | 公开(公告)日: | 2013-05-22 |
发明(设计)人: | 代文溢;宋永辉 | 申请(专利权)人: | 太仓市同维电子有限公司 |
主分类号: | H04Q11/00 | 分类号: | H04Q11/00;H04L12/10 |
代理公司: | 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 | 代理人: | 刘黎明 |
地址: | 215400 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 pon 设备 节电 控制电路 | ||
1.一种基于PON设备节电设计的控制电路,包括三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4和MOS管Q1,其特征在于:所述的三极管Q3的基级连接到PON设备的光模块信号输出部分,三极管Q3的发射极接地,三极管Q3集电极与3.3V电源连接,所述的三极管Q3与三极管Q2的基极连接,并控制三极管Q2的开关状态;三极管Q2的发射极直接与3.3V电源连接,三极管Q2的集电极与三极管Q4的基极连接以控制三极管Q4的开关状态;所述的三极管Q4的发射极接地,三极管Q4的集电极与MOS管Q1第一脚连接并控制MOS管Q1的开关状态;所述的MOS管Q1的第二脚接12V电源,MOS管Q1的第三脚输出给PON设备供电。
2.根据权利要求1所述的基于PON设备节电设计的控制电路,其特征在于:所述的12V电源连接电阻R1,电阻R5和C4并联后再与电阻R1连接,所述的12V电源通过电阻R1对C4充电,同时电阻R1和电阻R5形成的分压电路使MOS管Q1的第一脚电压在三极管Q4关断时稳定。
3.根据权利要求1所述的基于PON设备节电设计的控制电路,其特征在于:所述的MOS管Q1的第三脚与开关SW1连接。
4.根据权利要求1所述的基于PON设备节电设计的控制电路,其特征在于:所述的三极管Q3的基级通过电阻R6连接到PON设备的光模块信号输出部分。
5.根据权利要求1所述的基于PON设备节电设计的控制电路,其特征在于:所述的三极管Q3集电极通过电阻R3与3.3V电源连接。
6.根据权利要求1所述的基于PON设备节电设计的控制电路,其特征在于所述的三极管Q3通过电阻R4与三极管Q2的基极连接。
7.根据权利要求1所述的基于PON设备节电设计的控制电路,其特征在于所述的三极管Q2的集电极通过电阻R7与三极管Q4的基极连接。
8.根据权利要求1所述的基于PON设备节电设计的控制电路,其特征在于所述的三极管Q4的集电极通过电阻R2与MOS管Q1第一脚连接。
9.根据权利要求1所述的基于PON设备节电设计的控制电路,其特征在于:所述的12V电源连接有电容C1和电容C2并联组成的控制充放电的电路,所述的控制充放电的电路接地;所述的三极管Q2的集电极还与储能电容C5连接,所述的储能电容C5同时接地。
10.根据权利要求1-9所述的基于PON设备节电设计的控制电路的自动控制方法,其特征在于:包括如下内容:
步骤1:开启节电功能;
步骤2:当DC12V_IN无输入的时候,由于电阻R5接地,使得VE=0V;
DC12V_IN开始输入的时候:DC12V_IN通过R1对C4充电,同时VE由0V慢慢升高,由于充电时间很慢,在VE还未升高到使MOS管Q1截止的电压时,光模块开始工作;
步骤3:
当PON设备正常工作后,如果PON设备的光模块部分有接收到光信号,则RX-SD输出高电平,使得三极管Q3打开,同时打开三极管Q2,使3.3V对储能电容C5充电,由于充电电流IcB很大,故对储能电容C5充电时间极短,使VC快速变为高电平,然后打开三极管Q4,将VE拉低到9V,使MOS管Q1的栅源电压Vgs=3V,将MOS管Q1打开,12V保持正常输出给PON设备供电;
或当PON设备正常工作后,如果光模块没有接收到光信号,则RX-SD输出低电平,使得三极管Q3关断,使VB=3.3V导致三极管Q2关断,使储能电容C5上的电通过电阻R7放电,当放电电压VC低于约0.7V的时候,三极管Q4关断,VE电压将变为:12*1M/(10K+1M)≈12V,导致MOS管Q1关断,即将12V输入断开;
或当PON设备正常工作后,如果光模块没有接收到光,但在放电电压VC电压降为0.7V之前恢复光接收,则VC快速升高,三极管Q4保持导通,12V保持正常输出;
步骤4:如果PON设备持续一定的时间都无法接收到光,则12V将关断,如果用户想使用此PON设备上网时,需要手动将DC12V_IN重新关断再开启一次,如果发现设备还是无法接收到光信息,则需要检查设备的光上行通路是否正常;
所述的VB为三极管Q2处的基极电压,所述的VC为三极管Q2的集电极电压,所述的VE为电阻R5电压。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于太仓市同维电子有限公司,未经太仓市同维电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310025751.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。