[发明专利]一种SiBON透波材料的制备方法有效
申请号: | 201310026180.6 | 申请日: | 2013-01-24 |
公开(公告)号: | CN103121847B | 公开(公告)日: | 2017-08-25 |
发明(设计)人: | 唐潮;房明浩;黄朝晖;刘艳改;吴小文;闵鑫 | 申请(专利权)人: | 中国地质大学(北京) |
主分类号: | C04B35/597 | 分类号: | C04B35/597;C04B35/622 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100083 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 sibon 材料 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种SiBON透波材料的制备方法,属于航空材料技术领域。
背景技术
近年来,随着神州系列飞船不断升空,我国航天航空事业蓬勃发展,对各类航空航天材料的需求越来越大。其中,透波材料是制约航空航天技术发展的关键因素。透波材料是指可以透过波长在1-1000mm范围以内电磁波的材料,透过率要求达到70%。为保证内部器件能够正常工作,透波材料要求具有较好的介电性能、强度、断裂韧性、抗热震性以及耐冲蚀磨损性能。
目前,透波材料主要有以下几种:树脂基复合材料、氧化铝陶瓷材料、微晶玻璃材料、二氧化硅体系材料、磷酸盐材料、氮化物陶瓷材料等。树脂基复合材料的使用温度范围一般为100℃-400℃,但是高温下强度较低,不能应用于高速飞行的飞行器上;以二氧化硅为基体的透波材料有良好的抗热震性,介电常数也偏低,有利于内部天线的信号的接收,但是其室温强度不高;以氮化物为基体的透波材料具有较高的热稳定性,弯曲强度也可以达到100MPa-200MPa之间,介电常数为7-9,不利于内部天线的信号接收。虽然透波材料的种类繁多,但是目前适用于高超音速飞行器的透波材料还比较少。
氮化硼陶瓷透波材料具有强度、韧性较高以及介电常数相对较低等优点,但在高温下的透波率大大降低,无法满足高温下使用的条件;石英陶瓷透波材料各项性能都比较均衡,但是抗冲蚀磨损性能较差,制约了其应用。因此,Si-B-O-N材料作为一种新型透波材料的研究热点,不仅保持了SiO2和BN优异介电性能的优点,而且使其力学性能在不同温度下保持稳定。Si-B-O-N材料的发展分为两步:已经较为成熟的SiO2和BN复合材料和正在大力研究的SiBON材料。
因此,本发明在SiBON材料研究的基础上,提出了一种SiBON材料的新型制备方法。将正硅酸乙酯和硼酸反应的凝胶干燥后,使用金属硅粉在氮气气氛下高温还原,制备SiBON粉体,将粉体在保护气氛中烧结制备SiBON陶瓷材料。该方法对于制备高性能SiBON透波材料有重要的研究意义。
发明内容
本发明在针对SiBON材料研究的基础上,提出了一种SiBON材料的新型制备方法。通过控制正硅酸乙酯和硼酸的用量、金属硅粉的添加量和无压烧结的温度及保温时间来控制反应过程,获得SiBON粉体材料,然后采用干压成型法得到SiBON坯体,并在氮气气氛下进行高温煅烧,制备得到SiBON透波材料。本发明具有产物纯度高、介电性能优异、力学性能稳定等优点,在航空航天事业中天线罩等透波材料的中有广泛的应用。
本发明提出的一种SiBON材料的新型制备方法。其特征在于:以正硅酸乙酯、硼酸、金属硅粉为原料,将正硅酸乙酯缓慢滴加至硼酸溶液中,水浴磁力搅拌,滴加完成后静置成凝胶。在120℃恒温干燥箱中干燥,将干凝胶与金属硅粉进行配料、球磨、干压成型工艺制备坯体,在N2气氛下,在1100℃-1500℃的温度下保温2h-6h,冷却至是室温后取出研磨并过200目筛,获得SiBON粉体。将粉体干压成型,成型压力为5MPa-30MPa,冷等静压压力为150MPa-200MPa,保压时间为10s-90s。将坯体放入氮气保护的气氛炉中,升温速度为5℃/min,在1400℃-1700℃温度下保温1h-10h后,自然冷却至室温后即可获得SiBON材料。
本发明提出的的一种高温固相法制备SiBON材料的方法,所述的工艺流程具体为:
1)将正硅酸乙酯缓慢滴加至1%-4.5%的硼酸溶液中,使用十二烷基笨磺酸钠做表面活性剂,在80℃水浴环境下进行搅拌,静置成胶。将凝胶置于120℃恒温干燥箱中干燥,干凝胶磨细待用。
2)使用10μm~45μm金属硅粉与上述干凝胶按化学反应式比例配料,装入行星式球磨机中干磨,粒径1h-24h至原料分散均匀。
3)将原料干压成型,将坯体放入氮气保护的气氛炉中,升温速度为1~10℃/min,在1100℃~1500℃下保温2h-6h后自然冷却至室温后取出,研磨并过200目筛。
4)将得到的粉体干压成型,压力为5MPa-30MPa,保压时间为60s。再将样品进行冷等静压,压力为150MPa-200MPa,保压时间为60s。
5)将坯体放入氮气保护的气氛炉中,升温速度为5℃/min,在1400℃-1700℃温度下烧结,并保温1h-10h,自然冷却至室温后即可获得SiBON材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国地质大学(北京),未经中国地质大学(北京)许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310026180.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。