[发明专利]功率晶体管

权利要求书

1.一种晶体管器件，包括：

被布置在具有边缘和中心的单元场中的多个器件单元，各个器件单元被并联连接；

所述器件单元包括第一类型的器件单元并且包括第二类型的器件单元，所述第一类型的器件单元具有带有第一尺寸的本体区域和在所述本体区域中实现的、带有第二尺寸的源极区域，所述第二类型的器件单元具有第一尺寸的并且其中省略了源极区域或者其中源极区域小于所述第二尺寸的本体区域；

所述单元场包括多个非交迭单元区域，每一个所述非交迭单元区域包括相同多个器件单元，其中存在被布置在所述单元场的所述边缘和所述中心之间的至少一个单元区域序列，在所述至少一个单元区域序列中，所述第二类型的器件单元的频率沿着所述中心的方向从单元区域到单元区域单调地增加，并且其中所述单元区域序列中的一个单元区域包括或者邻接所述中心。

2.根据权利要求1所述的晶体管器件，其中在所述单元区域序列中所述第二类型器件单元的频率严格单调地增加。

3.根据权利要求1所述的晶体管器件，其中所述单元场的所述中心到至少两个相对的边缘片段是等距的。

4.根据权利要求1所述的晶体管器件，其中所述第二类型器件单元的频率的单调增加是根据高斯曲线。

5.根据权利要求1所述的晶体管器件，其中所述各个器件单元被实现为竖直器件单元。

6.根据权利要求1所述的晶体管器件，其中所述各个器件单元被实现为横向器件单元。

7.根据权利要求1所述的晶体管器件，其中由于来自相邻电路区域的横向热波干扰，所述第二类型器件单元的频率的单调增加不是根据高斯曲线。