[发明专利]低高低掺杂浓度的发射极结构的太阳能电池制作方法

权利要求书

1. 低高低掺杂浓度的发射极结构的太阳能电池制作方法，步骤包括：

1）将制绒后的硅片表面制作结深为0.1-0.3微米的发射极，方阻为50-90ohm/sq；

2）将步骤1所得硅片进行周边刻蚀、磷硅玻璃去除；

3）将步骤2所得硅片进行高温退火；

4）将步骤3所得硅片再依次采用沉积氮化硅膜、丝印正反面电极和背铝、烧结。

2. 根据权利要求1所述的低高低掺杂浓度的发射极结构的太阳能电池制作方法，其特征在于：步骤1中发射极制作过程为将硅片置入扩散炉中，同时通入大氮、小氮、氧气，保持温度750-850℃，时间为10-30min；将扩散炉温度升至800-900℃，温度稳定后，扩散结推进5-30min。

3. 根据权利要求1所述的低高低掺杂浓度的发射极结构的太阳能电池制作方法，其特征在于：步骤3中氧化过程为将硅片置入氧化炉中，通入大氮，保持温度800-900℃，时间为5-10min。

4. 根据权利要求1所述的低高低掺杂浓度的发射极结构的太阳能电池制作方法，其特征在于：步骤4中氮化硅膜的厚度为60-90nm，折射率为2.05-2.15。

5. 根据权利要求1所述的低高低掺杂浓度的发射极结构的太阳能电池制作方法，其特征在于：所述的硅片为单晶硅、多晶硅或者准单晶硅中的一种。