[发明专利]一种碱性抛光液及抛光方法有效
申请号: | 201310027550.8 | 申请日: | 2013-01-24 |
公开(公告)号: | CN103965788B | 公开(公告)日: | 2017-10-13 |
发明(设计)人: | 周文婷;王晨;何华锋 | 申请(专利权)人: | 安集微电子(上海)有限公司 |
主分类号: | C09G1/02 | 分类号: | C09G1/02;H01L21/321 |
代理公司: | 北京大成律师事务所11352 | 代理人: | 李佳铭 |
地址: | 201203 上海市浦东新区张*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 碱性 抛光 方法 | ||
1.一种碱性抛光液,其特征在于,包含:研磨颗粒,唑类化合物,络合剂,C1~C4季胺碱,调节硅片表面平整度的表面活性剂及聚羧酸烷基铵盐;其中,所述的C1~C4季铵碱选自四甲基氢氧化铵(TMAH),四丁基氢氧化铵(TBAH),丁基三甲基氢氧化铵和三丁基甲基氢氧化铵中的一种或多种;所述的调节硅片表面平整度的表面活性剂为聚乙烯吡咯烷酮(PVP)和/或壬基酚聚氧乙烯醚;所述的聚羧酸烷基铵盐选自聚丙烯酸烷基铵盐,聚马来酸烷基铵盐,丙烯酸和马来酸共聚物烷基铵盐中的一种或多种。
2.根据权利要求1所述的抛光液,其特征在于,所述研磨颗粒为气相SiO2和溶胶SiO2中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的抛光液,其特征在于,所述的研磨颗粒浓度为质量百分比含量为3~15wt%。
4.根据权利要求3所述的抛光液,其特征在于,所述的研磨颗粒浓度为质量百分比含量为3~10wt%。
5.根据权利要求1所述的抛光液,其特征在于,所述的唑类化合物选自苯骈三氮唑(BTA),甲基苯骈三氮唑(TTA)及2,2'-[[(甲基-1H-苯并三唑-1-基)甲基]亚氨基]双乙醇中的一种或多种。
6.根据权利要求1所述的抛光液,其特征在于,所述的唑类化合物的浓度为质量百分比0.005%~0.1wt%。
7.根据权利要求6所述的抛光液,其特征在于,所述的唑类化合物的浓度为质量百分比0.005%~0.05wt%。
8.根据权利要求1所述的抛光液,其特征在于,所述的络合剂为氨基酸、柠檬酸、丙二酸、有机膦酸中的一种或多种。
9.根据权利要求8所述的抛光液,其特征在于,所述的有机膦酸为羟基亚乙基二膦酸(HEDP),2-磷酸丁烷-1,2,4-三羟酸(JH-906)中的一种或多种。
10.根据权利要求1所述的抛光液,其特征在于,所述的络合剂的浓度为质量百分比0.05%~1wt%。
11.根据权利要求10所述的抛光液,其特征在于,所述的络合剂的浓度为质量百分比0.05~0.5wt%。
12.根据权利要求1所述的抛光液,其特征在于,所述的C1~C4季铵碱的质量百分比含量为0.05~1wt%。
13.根据权利要求12所述的抛光液,其特征在于,所述的C1~C4季铵碱的质量百分比含量为0.05~0.5wt%。
14.根据权利要求1所述的抛光液,其特征在于,所述的调节硅片表面平整度的表面活性剂质量百分比含量为0.01~1wt%。
15.根据权利要求14所述的抛光液,其特征在于,所述的调节硅片表面平整度的表面活性剂质量百分比含量为0.01~0.5wt%。
16.根据权利要求1所述的抛光液,其特征在于,所述的聚羧酸烷基铵盐中烷基链长为C3-C18。
17.根据权利要求1所述的抛光液,其特征在于,所述的聚羧酸烷基铵盐质量百分比0.05%~1wt%。
18.根据权利要求1所述的抛光液,其特征在于,所述的聚羧酸烷基铵盐质量百分比0.05%~0.5wt%。
19.根据权利要求1所述的抛光液,其特征在于,所述抛光液还包含氧化剂,所述氧化剂为过氧化氢。
20.根据权利要求19所述的抛光液,其特征在于,所述过氧化氢的质量百分比0.1~1wt%。
21.根据权利要求1所述的抛光液,其特征在于,所述的抛光液pH值为9-12。
22.根据权利要求1所述的抛光液,其特征在于,所述的抛光液还包含pH值调节剂,其中,所述pH值调节剂为碱或酸。
23.根据权利要求22所述的抛光液,其特征在于,所述的碱为KOH,所述的酸为HNO3。
24.一种如权利要求1-23任一项所述的抛光液在抛光阻挡层中的应用。
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