[发明专利]一种LED全方位立体发光光源及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种LED全方位立体发光光源，其特征在于包括LED芯片、单电极二极管、透光基座，其中LED芯片不少于20颗，单电极二极管不少于2颗，透光基座由平台及平台支架构成，LED芯片呈环形或框形排列于透光基座的平台上，并通过单电极二极管与电源相连接，电源线经由平台支架连接至单电极二极管。

2.根据权利要求1所述的光源，其特征在于所述的LED芯片及单电极二极管，其相邻之间的距离为大于LED芯片二分之一的宽度，小于LED芯片的长度。

3.根据权利要求1所述的光源，其特征在于所述的单电极二极管选自单电极齐纳二极管或单电极发光二极管。

4.根据权利要求1所述的光源，其特征在于所述的透光基座选自高透光率的下列硬质材料中的一种或两种：玻璃、蓝宝石、氮化铝、树脂、硅胶、亚克力、光学级聚碳酸脂。

5.根据权利要求1所述的光源，其特征在于所述的透光基座的平台选自方形、圆形或与LED芯片排列对应的环形或框形。

6.根据权利要求1所述的光源，其特征在于所述的透光基座平台固定LED芯片侧覆有透明散热薄膜。

7.根据权利要求6所述的光源，其特征在于所述的透明散热薄膜为ZnO薄膜。

8.根据权利要求1所述的光源，其特征在于本发明全方位立体发光的LED光源中透光基座可以由一个或多个平台构成。

9.根据权利要求1所述的光源，其特征在于LED芯片在固定前底部涂布一层厚度不超过50μm的混合有荧光粉的透明胶体。

10.根据权利要求1所述的光源，其特征在于LED芯片通过透明胶固定于透光基座的平台上，其胶体为两层，厚度为30μm-400μm之间。

11.根据权利要求10所述的光源，其特征在于两层胶体，第一层厚度为15μm-200μm之间，并胶体中混合有荧光粉，第二层厚度为15μm-200μm之间。

12.根据权利要求1所述的光源，其特征在于LED芯片、单电极二极管周围及芯片与芯片之间，芯片与单电极二极管之间均涂布混合有荧光粉的透明胶体，厚度控制在500μm-1500μm之间。

13.根据权利要求12所述的光源，其特征在于在荧光胶之上涂布一层厚度为300微米左右的透明胶体。

14.权利要求1-13任一项所述的光源的制备方法，包括：

A：洗净透光基座平台，并用氮气吹干后待用；

B：在预固定LED芯片的平台处涂布双层胶体，用于固定芯片；

C: 芯片与电源相接部位的透光基座平台处固定单电极二极管；

D：对LED芯片及单电极二极管进行引线键合；

E：在LED芯片、单电极二极管周围及芯片与芯片之间，芯片与单电极二极管之间均涂布混合有荧光粉的透明胶体后再涂布一层透明胶体；

F: 在透明基座平台非固定LED芯片面安装透明支架。

15.根据权利要求14所述的制备方法，其特征在于步骤B前，在LED芯片底部涂布混合有荧光粉的透明胶体，其厚度控制在50μm之内。

16.根据权利要求14所述的制备方法，其特征在于步骤B中，固定LED芯片的双层胶，第一层为混合有荧光粉的透明胶，其厚度为15 um-200μm之间的胶体，经烘烤，再涂布第二层透明胶，其厚度控制在15um—200um之间，后将芯片固定于透明胶之上。

17.根据权利要求14所述的制备方法，其特征在于步骤C中，芯片与电源相接部位的透光基座平台处利用银胶固定单电极二极管，控制银胶厚度使单电极二极管的电极高度与LED芯片电极高度基本持平。

18.根据权利要求17所述的制备方法，其特征在于固定单电极二极管的透光基座平台部位覆有一层能连接平台及锡的金属层，在这金属层上覆锡层，单电极二极管通过银胶固定在锡层上，电源线焊接在单电极二极管上。

19.根据权利要求14所述的制备方法，其特征在于步骤E中，LED芯片、单电极二极管周围及芯片与芯片之间，芯片与单电极二极管之间涂覆混合有荧光粉的透明胶体，其厚度控制在500μm-1500μm之间。