[发明专利]一种配向膜材料及相应的液晶面板有效

专利信息
申请号: 201310028184.8 申请日: 2013-01-25
公开(公告)号: CN103087454A 公开(公告)日: 2013-05-08
发明(设计)人: 钟新辉 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: C08L33/14 分类号: C08L33/14;C09K19/52;G02F1/1337
代理公司: 深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙) 44238 代理人: 潘中毅;熊贤卿
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 材料 相应 液晶面板
【说明书】:

技术领域

发明涉及液晶显示技术,尤其涉及一种配向膜材料及相应的液晶面板

背景技术

TN(Twisted nematic,扭曲向列型)或STN(Super twisted nematic,超扭曲向列型)液晶显示器所用的液晶为正型液晶,未加电时液晶分子长轴平行于基板表面。基板表面液晶分子的排列方向由配向层(Alignment layer,材质通常为Polyimide)的摩擦方向(Rubbing direction)决定,两基板表面配向方向垂直,所以从一个基板表面到另一个基板表面,液晶层的分子呈连续扭转排列状态。当施加电压之后,液晶分子的长轴将倾向于沿电场的方向排列。TN/STN型液晶显示器的缺点是可视角小,在大视角下的亮度差异和色差严重,需要通过补偿膜对此进行改善,从而提高了显示器的制造成本。

MVA(Multi-domain vertical alignment,多象限垂直配向型)TFT-LCD很好的解决了TN/STN显示器视角限制的问题,它采用负型液晶与垂直配向膜材料。未施加电压时,液晶分子长轴均垂直于基板表面,施加电压会使液晶分子倾倒,液晶分子长轴倾向于沿垂直电场方向排列。为了解决视角问题,一个亚像素被分成多个区域,使液晶分子朝不同的方向倾倒,让显示器从不同的方向看到的效果趋于一致。在一个亚像素内使不同区域的液晶分子导向不同的方向有多种方法。第一种是通过曝光显影的办法在LCD的上下基板制作出Bump(隆起物),使Bump周围的液晶分子产生一定的预倾角,引导液晶分子朝固定方向倾倒;第二种是在上下基板上形成具有一定图案的ITO(Indium Tin Oxide, 氧化铟锡)像素电极,由此产生的电场具有一定的倾斜角度,从而控制不同区域的液晶分子的导向,此技术被称为PVA(Patterned vertical alignment,垂直取向构型)技术;第三种是在LCD基板的TFT侧形成ITO slit(裂缝),另一侧为Full ITO,在液晶介质中添加可聚合的monomer(单体),先通过电场使液晶分子倾倒,同时用紫外光照射面板使monomer聚合形成具有引导液晶分子倾倒的聚合物颗粒,沉积在基板表面起到配向的作用,这种技术成为PSVA(Polymer stabilized vertical alignment,聚合物稳定垂直对齐)技术。

PSVA技术中的关键过程是对monomer的反应进行控制,包括反应速率,反应均匀性以及最终monomer的残留控制等等。只有对对上述情况进行很好的控制才能得到高品质的PSVA液晶面板。但是实际中要很好控制monomer在紫外光UV照射制程后的浓度仍然是一项重要课题。

发明内容

本发明的所要解决的技术问题在于,提供一种用于PSVA液晶显示器件的配向膜材料及相应的液晶面板,它能够使面板在UV照射制程后的monomer浓度控制在较低的水平,同时不显著增加面板内可以动离子的含量,由此避免面板在RA实验以及后续实际使用中出现由于monomer残留或离子浓度过高导致的品质下降问题。

为解决上述技术问题,本发明实施例提供一种配向膜材料,其用于聚合物稳定垂直配向液晶显示器,所述配向膜材料包括:高聚物、低聚物和溶剂,其中,所高聚物或/和低聚物中包含如下基团结构:

其中,X代表取代基团,在不同位置上的所述取代基团X相互独立,可以相同或不相同;m为每个苯环结构上取代基X的个数,所述各苯环上取代基个数m相互独立,可相同或不同。

其中,所述溶剂包含以下溶剂中的一种或几种:

N-甲基吡咯烷酮溶剂、N-乙基吡咯烷酮溶剂以及丁内酯溶剂。

其中,所述溶剂重量占配向膜材料总重量的80%至99%。

其中,所述的高聚物为分子量大于10000的聚合物,所述的低聚物为分子量小于10000的聚合物。

其中,所述配向膜材料进一步包含流平剂和消泡剂。

相应地,本发明实施例的另一方面,提供一种液晶面板,所述液晶面板包含:

第一透明基板,具有第一配向膜;

第二透明基板,具有第二配向膜;以及

液晶组合物,填充于所述第一透明基板及第二透明基板之间,且所述液晶组合物接触所述第一配向膜及第二配向膜;

其中,所述配向膜的材料包括:高聚物、低聚物和溶剂,所高聚物或/和低聚物中包含如下基团结构:

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