[发明专利]用于导电柱的系统和方法无效

专利信息
申请号: 201310028212.6 申请日: 2013-01-25
公开(公告)号: CN103224217A 公开(公告)日: 2013-07-31
发明(设计)人: M.埃斯克里奇;J.C.米尔恩 申请(专利权)人: 霍尼韦尔国际公司
主分类号: B81B7/00 分类号: B81B7/00;B81C1/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 蒋骏;刘春元
地址: 美国新*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 用于 导电 系统 方法
【权利要求书】:

1.一种设备,所述设备包括:

衬底层(102),在其上的表面上具有至少一个导电迹线(104);以及

外延器件层(106),具有第一侧和相对的第二侧,所述外延器件层(106)的第一侧接合至所述衬底层(102),所述器件层(106)包括:

至少一个微机电系统(MEMS)器件(110);以及

至少一个外延导电柱(108),其中,所述至少一个外延导电柱(108)延伸通过所述外延器件层(106),以将所述至少一个导电迹线(104)电耦合至所述外延器件层(106)的第二侧上的分界面。

2.根据权利要求1所述的设备,其中,所述衬底层(102)包括至少一个凹陷区(112)和至少一个台面(114),其中,所述至少一个台面(114)的第一台面(114)接合至所述外延器件层(106)的第一侧。

3.一种用于制造封装管芯的方法,所述方法包括:

在衬底层(102)上形成导电迹线(104);

在半导体衬底上形成包括微机电系统(MEMS)器件(110)和至少一个外延导电柱(108)的外延器件层(106);

将所述器件层(106)的MEMS器件(110)接合至所述衬底层(102);以及

将所述外延导电柱(108)接合至所述导电迹线(104)。

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