[发明专利]用于导电柱的系统和方法无效
申请号: | 201310028212.6 | 申请日: | 2013-01-25 |
公开(公告)号: | CN103224217A | 公开(公告)日: | 2013-07-31 |
发明(设计)人: | M.埃斯克里奇;J.C.米尔恩 | 申请(专利权)人: | 霍尼韦尔国际公司 |
主分类号: | B81B7/00 | 分类号: | B81B7/00;B81C1/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 蒋骏;刘春元 |
地址: | 美国新*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 导电 系统 方法 | ||
1.一种设备,所述设备包括:
衬底层(102),在其上的表面上具有至少一个导电迹线(104);以及
外延器件层(106),具有第一侧和相对的第二侧,所述外延器件层(106)的第一侧接合至所述衬底层(102),所述器件层(106)包括:
至少一个微机电系统(MEMS)器件(110);以及
至少一个外延导电柱(108),其中,所述至少一个外延导电柱(108)延伸通过所述外延器件层(106),以将所述至少一个导电迹线(104)电耦合至所述外延器件层(106)的第二侧上的分界面。
2.根据权利要求1所述的设备,其中,所述衬底层(102)包括至少一个凹陷区(112)和至少一个台面(114),其中,所述至少一个台面(114)的第一台面(114)接合至所述外延器件层(106)的第一侧。
3.一种用于制造封装管芯的方法,所述方法包括:
在衬底层(102)上形成导电迹线(104);
在半导体衬底上形成包括微机电系统(MEMS)器件(110)和至少一个外延导电柱(108)的外延器件层(106);
将所述器件层(106)的MEMS器件(110)接合至所述衬底层(102);以及
将所述外延导电柱(108)接合至所述导电迹线(104)。
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