[发明专利]氮化物半导体结构及半导体发光元件

权利要求书

1.一种氮化物半导体结构，其包含一N型半导体层以及一P型半导体层，于所述N型半导体层与所述P型半导体层间配置有一发光层，所述发光层与所述P型半导体层间配置有一空穴提供层，所述空穴提供层紧邻所述发光层，且所述空穴提供层为氮化铟镓In_xGa_1-xN，其中0<x<1，且所述空穴提供层掺杂有浓度为10¹⁷-10²⁰cm^-3的第四主族元素；

所述空穴提供层与所述P型半导体层间配置有一P型载子阻隔层，且所述P型载子阻隔层由具有高于所述发光层的能隙的材料所制成；

所述第四主族元素为碳；

所述空穴提供层掺杂有浓度大于10¹⁸cm^-3的P型掺质；

所述P型掺质为镁。

2.如权利要求1所述的氮化物半导体结构，其中，所述发光层具有多重量子井结构，且所述空穴提供层的能隙大于所述多重量子井结构的井层的能隙。

3.如权利要求1所述的氮化物半导体结构，其中，所述空穴提供层的厚度为1-100nm。

4.如权利要求1所述的氮化物半导体结构，其中，所述空穴提供层为氮化铟镓In_xGa_1-xN，其中x为0<x≤0.1。

5.如权利要求1所述的氮化物半导体结构，其中，所述发光层与所述N型半导体层间配置有一N型载子阻隔层，且所述N型载子阻隔层由具有高于所述发光层的能隙的材料所制成。

6.如权利要求1所述的氮化物半导体结构，其中，所述发光层与所述N型半导体层间配置有一N型载子阻隔层，且所述N型载子阻隔层由具有高于所述发光层的能隙的材料所制成。

7.一种半导体发光元件，其至少包含有：

一基板；

一N型半导体层，其配置于所述基板上；

一发光层，其配置于所述N型半导体层上；

一空穴提供层，其配置于所述发光层上，所述空穴提供层紧邻所述发光层，且所述空穴提供层为氮化铟镓In_xGa_1-xN，其中0<x<1，且所述空穴提供层掺杂有浓度为10¹⁷-10²⁰cm^-3的第四主族元素；所述第四主族元素为碳；所述空穴提供层掺杂有浓度大于10¹⁸cm^-3的P型掺质；所述P型掺质为镁；

一P型半导体层，其配置于所述空穴提供层上；

一P型载子阻隔层，其配置于所述空穴提供层与所述P型半导体层间，且所述P型载子阻隔层由具有高于所述发光层的能隙的材料所制成；

一N型电极，其以欧姆接触配置于所述N型半导体层上；以及

一P型电极，其以欧姆接触配置于所述P型半导体层上。