[发明专利]包含纳米结构抗反膜的晶体硅太阳能电池及其制备方法有效
| 申请号： | 201310029855.2 | 申请日： | 2013-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN103035752A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 张宇翔;朱煜;黄寓洋;宋贺伦;张耀辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/04;H01L31/18 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 杨林;马翠平 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 包含 纳米 结构 抗反膜 晶体 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种包含纳米结构抗反膜的晶体硅太阳能电池，包括自下而上的金属背场与背电极、单晶硅基体、PN结有源层、抗反膜、及栅电极，其特征在于，所述抗反膜有若干层，自下而上的抗反膜的折射率逐渐减小。
2.根据权利要求1所述的包含纳米结构抗反膜的晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述抗反膜为纳米结构的TiO2膜，或由TiO2膜和SiO2膜混合而成。
3.根据权利要求2所述的包含纳米结构抗反膜的晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述抗反膜有2至5层。
4.根据权利要求3所述的包含纳米结构抗反膜的晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述每层抗反膜纳米棒的直径在10-200nm之间，孔隙率在0.1-0.9之间。
5.根据权利要求3所述的包含纳米结构抗反膜的晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述TiO2膜的反射率为2.7到1.3之间，SiO2膜的反射率为1.46-1.05之间。
6.一种包含纳米结构抗反膜的晶体硅太阳能电池的制备方法，包括斜角入射物理沉积法生成抗反膜，其特征在于，用以下方法在PN结有源层上依次沉积若干层抗反膜：
步骤1：将含有PN结有源层的单晶硅基体固定，调整蒸发源的入射方向与PN结有源层的沉积表面形成一倾斜入射角；
步骤2：在20-100度的温度下，以0.1nm/s-1nm/s的速率将TiO2或SiO2沉积于PN结有源层上形成抗反膜。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述抗反膜为纳米结构的TiO2膜，或由TiO2膜和SiO2膜混合而成。
8.根据权利要求7所述的包含纳米结构抗反膜的晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述抗反膜有2至5层。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述每层抗反膜纳米棒的直径在10-200nm之间，孔隙率在0.1-0.9之间；所述TiO2膜的反射率为2.7到1.3之间，SiO2膜的反射率为1.46-1.05之间。
10.根据权利要求7至9中任一所述的制备方法，其特征在于，所述入射角度在10-89度之间。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
