[发明专利]基于金属纳米光栅的微偏振片阵列及其制备方法

权利要求书

1.一种基于金属纳米光栅的单层微偏振片阵列，其特征在于，该单层微偏振片阵列包括：高透光性的基底和基底上沉积的金属膜刻蚀而成的金属纳米光栅，其中：

所述金属纳米光栅在所述基底上排列的方向为四种不同的方向，具有相同排列方向的相邻金属纳米线构成的光栅为一个微偏振片，每个微偏振片的尺寸与感光元件芯片的像素尺寸相同。

2.根据权利要求1所述的单层微偏振片阵列，其特征在于，所述金属纳米光栅为铝光栅、金光栅或铂光栅。

3.根据权利要求1所述的单层微偏振片阵列，其特征在于，所述金属纳米光栅的周期为亚波长量级。

4.根据权利要求1所述的单层微偏振片阵列，其特征在于，每个微偏振片可透过的偏振光的偏振方向与所述金属纳米光栅栅线的方向垂直。

5.根据权利要求1所述的单层微偏振片阵列，其特征在于，采用干涉光刻或者全息光刻技术来产生所述金属纳米光栅栅线：使用夹角为θ，波长为λ的两束相干光进行干涉，产生周期为λ/2sin(θ/2)的光栅栅线。

6.根据权利要求5所述的单层微偏振片阵列，其特征在于，通过调节所述相干光的波长和夹角来调节所生成光栅栅线的周期值。