[发明专利]单层ITO的布线结构在审
| 申请号： | 201310030434.1 | 申请日： | 2013-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN103092422A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 何丽;樊永召;金莉 | 申请（专利权）人： | 苏州瀚瑞微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/041 | 分类号： | G06F3/041 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215163 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单层 ito 布线 结构 | ||
1.一种单层ITO的布线结构，其包括若干个第一感应电极和第二感应电极，所述第一感应电极在行方向上对应相连，所述第二感应电极在列方向上对应相连，其特征在于：所述第二感应电极嵌套在所述第一感应电极内。
2.如权利要求1所述的单层ITO的布线结构，其特征在于：所述第一感应电极为环形，设有开口。
3.如权利要求1或2所述的单层ITO的布线结构，其特征在于：所述第一感应电极由顶边、底边以及两个侧边围成的环形。
4.如权利要求3所述的单层ITO的布线结构，其特征在于：所述第一感应电极的相对的顶边和底边为锯齿状。
5.如权利要求3所述的单层ITO的布线结构，其特征在于：所述第二感应电极与所述第一感应电极的顶边和底边相对的边缘对应为锯齿状，与所述第一感应电极的顶边和底边啮合。
6.如权利要求3所述的单层ITO的布线结构，其特征在于：所述第一感应电极的顶边和底边均自内侧边缘向内凹陷形成第一凹槽。
7.如权利要求6所述的单层ITO的布线结构，其特征在于：所述第二感应电极具有与所述第一凹槽相对应的凸块。
8.如权利要求6所述的单层ITO的布线结构，其特征在于：所述第一凹槽自底部到顶部的宽度不同。
9.如权利要求6所述的单层ITO的布线结构，其特征在于：所述第一凹槽的形状为三角形或者梯形。
10.如权利要求6所述的单层ITO的布线结构，其特征在于：所述第一感应电极的顶边和底边均自外侧边缘向内凹陷形成第二凹槽。
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