[发明专利]参考电压产生电路

权利要求书

1.一种参考电压产生电路，其特征在于，包括：电流镜单元、第一电阻、第二电阻和温度系数补偿单元，其中，

所述电流镜单元包括第一节点、第二节点和第三节点，所述第一节点处的电流、第二节点处的电流及第三节点处的电流分别成比例关系，所述第三节点作为所述参考电压产生电路的输出端；

所述温度系数补偿单元包括：第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管，所述第一NMOS管的栅极与漏极相连并连接所述第一电阻的第二端，源极接地；所述第二NMOS管的栅极与漏极相连并连接所述电流镜单元的第一节点，源极接地；所述第三NMOS管的栅极与漏极相连并连接所述第二电阻的第二端，源极接地；所述第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管工作在亚阈值区或饱和区；

所述第一电阻的第一端连接所述电流镜单元的第二节点；

所述第二电阻的第一端连接所述电流镜单元的第三节点。

2.如权利要求1所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述电流镜单元包括：

第一子电流镜单元，包括第一PMOS管、第二PMOS管和第三PMOS管，所述第一PMOS管、第二PMOS管及第三PMOS管的源极均连接至电源电压，栅极均连接至所述第三PMOS管的漏极；所述第一PMOS管的漏极作为所述电流镜单元的第三节点；

第二子电流镜单元，包括：第四NMOS管和第五NMOS管，所述第四NMOS管的栅极与漏极相连，并连接至所述第二PMOS管的漏极；所述第四NMOS管的源极作为所述电流镜单元的第一节点；所述第五NMOS管的栅极连接所述第四NMOS管的栅极，漏极耦接所述第三PMOS管的漏极，源极作为所述电流镜单元的第二节点。

3.如权利要求2所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述第一PMOS管的宽长比、第二PMOS管的宽长比和第三PMOS管的宽长比相等。

4.如权利要求2所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述第四NMOS管的宽长比与第五NMOS管的宽长比相等。

5.如权利要求2所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述电流镜单元还包括：第一ZMOS管，所述第五NMOS管的漏极通过所述第一ZMOS管连接所述第三PMOS管的漏极。

6.如权利要求5所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述第一ZMOS管的栅极连接所述第四NMOS管的栅极，源极连接所述第五NMOS管的漏极，漏极连接所述第三PMOS管的漏极。

7.如权利要求1所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述电流镜单元包括：第一子电流镜单元和箝位单元；

所述第一子电流镜单元包括第一PMOS管、第二PMOS管和第三PMOS管，所述第一PMOS管、第二PMOS管及第三PMOS管的栅极相连，且源极均连接至电源电压；所述第二PMOS管的漏极作为所述电流镜单元的第一节点，所述第三PMOS管的漏极作为所述电流镜单元的第二节点；所述第一PMOS管的漏极作为所述电流镜单元的第三节点；

所述箝位单元包括误差放大器，所述误差放大器的负向输入端连接第二PMOS管的漏极，正向输入端连接第三PMOS管的漏极，输出端连接所述第一PMOS管的栅极。

8.如权利要求1所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述电流镜单元的第一节点处的电流、第二节点处的电流及第三节点处的电流之间的比例关系为1：1：1。