[发明专利]治愈非易失性存储器单元的隧穿电介质的结构和方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

存储器单元的阵列，其中每个所述存储器单元包括：隧穿电介质；阱区域，包括第一电流电极、第二电流电极、以及在所述第一电流电极与所述第二电流电极之间的沟道区域；浮置栅极，其中所述隧穿电介质在所述沟道区域之上，所述浮置栅极在所述隧穿电介质之上；界面电介质，在所述浮置栅极之上；以及控制栅极，在所述界面电介质之上；以及

控制器，耦合到所述存储器单元，其中所述控制器包括确定何时执行所述存储器单元的隧穿电介质中的治愈过程以及在所述治愈过程期间施加第一电压至所述存储器单元的第一电流电极以从隧穿电介质移除被俘获的电子和空穴的逻辑。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述控制器还包括：

在所述治愈过程期间施加另一电压至所述第二电流电极和控制栅极的逻辑。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述控制器包括在所述治愈过程期间施加另一电压至所述阱区域的逻辑。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述治愈过程利用在所述第一电流电极与所述阱区域之间的结处的升高的温度。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

在阈值数量的编程和擦除周期之后执行所述治愈过程的逻辑。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，还包括：

在相继减小数量的编程和擦除周期之后执行随后的治愈过程的逻辑。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

当需要阈值数量的脉冲以擦除所述存储器单元时执行所述治愈过程的逻辑。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

一旦需要阈值数量的脉冲以编程所述存储器单元就执行所述治愈过程的逻辑。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述控制器还操作来在所述存储器单元已经运行特定数量的编程/擦除周期之后执行所述治愈过程。

10.一种方法，包括：

执行治愈过程以减少半导体存储器单元的隧穿电介质中的被俘获的空穴和电子，其中所述隧穿电介质位于第一和第二电流电极与浮置栅极之间，当执行所述治愈过程时，施加治愈电压至所述存储器单元的第一电极，其中所述治愈电压足以移除至少一些所述被俘获的空穴和电子，同时足够低以避免将电子从所述浮置栅极移动到所述隧穿电介质。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括：

施加第二电压至所述半导体存储器单元的第二电流电极。

12.根据权利要求10所述的方法，还包括：

在所述治愈过程期间，施加另一些电压至所述半导体存储器单元的第二电流电极、控制栅极以及阱区域。

13.根据权利要求10所述的方法，还包括：

在阈值数量的编程和擦除周期之后执行所述治愈过程。

14.根据权利要求13所述的方法，还包括：

在相继减少阈值数量的编程和擦除周期之后执行随后的治愈过程。

15.根据权利要求10所述的方法，还包括：

当脉冲计数的数量表明所述半导体存储器单元的操作劣化时执行所述治愈过程。

16.根据权利要求10所述的方法，还包括：

在所述半导体存储器单元的固定操作时间之后执行所述治愈过程。

17.根据权利要求10所述的方法，其中：

所述治愈过程利用在所述第一电流电极与阱区域之间的结处的升高的温度。

18.一种半导体器件，包括：

非易失性存储器单元的阵列；以及

控制器，耦合到所述阵列，其中所述控制器配置有操作来执行治愈过程以减少隧穿电介质中的被俘获的空穴和电子的逻辑，其中所述隧穿电介质位于所述存储器单元中具有电流电极和浮置栅极的阱区域之上，所述治愈过程包括施加第一电压到所述电流电极之一和施加第二电压到控制栅极和所述电流电极中的另一个。

19.根据权利要求18所述的半导体器件，还包括：

在所述控制器中的基于所述存储器单元的编程或擦除操作的效率确定何时执行所述治愈过程的逻辑。

20.根据权利要求18所述的半导体器件，其中：

所述第一电压足够低以避免使所述浮置栅极中的电子移动到所述隧穿电介质。