[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、X射线平板探测器

权利要求书

1.一种阵列基板，包括：

基板；

形成于所述基板上的栅线层，所述栅线层包括栅极以及与所述栅极连接的栅线；

形成于所述栅线层上方的栅绝缘层；

形成于所述绝缘层上方的有源层；

形成于所述有源层上方的数据线层，所述数据线层包括源极、漏极以及与所述源极连接的数据线，所述数据线与所述栅线交叉，其特征在于，

所述有源层包括导体层和半导体层，所述导体层形成于所述栅绝缘层的上方，所述半导体层包裹所述导体层。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述导体层材料为铟镓锌氧化物导体，所述半导体层材料为铟镓锌氧化物半导体。

3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，相邻的所述栅线和所述数据线交叉的区域内限定有像素区域，所述像素区域内设有光电二极管，所述光电二极管的下端与所述漏极电连接、上端电连接有偏置电极层。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述光电二极管的上端设有透明导电层，所述透明导电层的上方设有第一钝化层，所述第一钝化层设有过孔，且所述第一钝化层的上方设有偏置电极层，所述透明导电层通过所述过孔与偏置电极层电连接。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述偏置电极层的上方设有第二钝化层。

6.一种如权利要求1-5任一项所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

在所述基板上形成栅极以及与所述栅极连接的栅线；

在形成有栅极、栅线的基板上形成栅绝缘层；

在形成有栅绝缘层的基板上沉积导体的铟镓锌氧化物薄膜，通过构图工艺，形成导体层；

在形成有导体层的基板上沉积半导体的铟镓锌氧化物薄膜，通过构图工艺，形成半导体层，所述半导体层包裹所述导体层。

7.根据权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在形成所述半导体层后，还包括：

在形成有半导体层的基板上沉积数据线层薄膜，通过构图工艺，形成沟道、漏极、源极以及与所述源极连接的数据线；

在形成有源极、漏极、数据线以及沟道的基板上沉积光电二极管薄膜，通过构图工艺，在所述源极的上方形成光电二极管；

在形成有光电二极管的基板上沉积透明导电层薄膜，通过构图工艺，在所述光电二极管的上端形成透明导电层。

8.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，还包括：

在形成有透明导电层的基板上沉积第一钝化层薄膜，形成第一钝化层，并通过构图工艺，在所述光电二极管的上方形成过孔；

在形成有第一钝化层的基板上沉积偏置电极层薄膜，通过构图工艺，形成偏置电极层，所述偏置电极层通过所述过孔与透明导电层连接；

在形成有偏置电极层的基板上沉积第二钝化层薄膜，形成第二钝化层。

9.一种X射线平板探测器，包括X射线源以及探测装置，其特征在于，所述探测装置包括权利要求1-5任一项所述的阵列基板。