[发明专利]一种发光组件及具有此发光组件的发光装置

权利要求书

1.一种发光组件，其特征在于，包括：

一基板；

一第1发光二极管，形成于所述基板上；及

一第1晶体管，形成于所述基板上，所述第1晶体管为常开型晶体管，所述第1晶体管包括：

一第1半导体层；

一第2半导体层，形成于所述第1半导体层一端的表面处；

一第3半导体层，形成于所述第1半导体层相对于所述第2半导体层的另一端的表面处；

一闸极电极，与所述第1半导体层形成萧基接触；

一汲极电极，与所述第2半导体层形成欧姆接触；及

一源极电极，与所述第3半导体层形成欧姆接触；其中

所述第2半导体层及第3半导体层的掺杂条件与所述第1半导体层的掺杂条件不同；

所述第2半导体层及第3半导体层之间的间隔暴露出所述第1半导体层。

2.如权利要求1所述的发光组件，其特征在于，所述第1、第2以及第3半导体层为n型氮化镓系半导体。

3.如权利要求1所述的发光组件，其特征在于，所述第1晶体管与所述基板之间，还包括一第4半导体层、一主动层、一第5半导体层以及一缓冲层，其中所述第4半导体层为一p型氮化镓系半导体，且所述第5半导体层为一n型氮化镓系半导体。

4.如权利要求1所述的发光组件，其特征在于，所述闸极电极包括钨、铂、金、镍、铝所组成的群组中的任一或组合，且所述源极电极与所述汲极电极包括钛、铝、镍、金、铬所组成的群组中的任一或组合。

5.如权利要求1所述的发光组件，其特征在于，所述第2半导体层及第3半导体层的掺杂条件与所述第1半导体层的掺杂条件不同为所述第2半导体层及第3半导体层的掺杂浓度与所述第1半导体层的掺杂浓度不同。

6.如权利要求1所述的发光组件，其特征在于，所述发光组件更包括一电极图案，将所述第1晶体管电性连接为一第1电流稳定单元，并将所述第1电流稳定单元电性耦接于所述第1发光二极管。

7.一种发光装置，其特征在于，包括：

如权利要求1所述的发光组件；

一电路图案，将所述第1晶体管电性连接为一第1电流稳定单元，并将所述第1电流稳定单元电性耦接于所述第1发光二极管；及

一电源，通过所述电路图案电性连接所述第1发光二极管与所述第1电流稳定单元。

8.如权利要求7所述的发光装置，其特征在于，所述第1晶体管的闸极电极接收一控制电压。

9.如权利要求7所述的发光装置，其特征在于，所述第1晶体管的闸极电极耦接所述第1晶体管的源极电极。

10.如权利要求7所述的发光装置，其特征在于，所述第1电流稳定单元还包括一萧基二极管，电性连接于所述第1晶体管与所述电源之间，所述萧基二极管的阳极电极耦接所述第1晶体管的源极电极。

11.如权利要求10所述的发光装置，其特征在于，所述萧基二极管形成于所述基板上。

12.如权利要求7所述的发光装置，其特征在于，所述第1电流稳定单元还包括一第2晶体管，电性连接于所述第1晶体管与所述电源之间，所述第2晶体管的汲极电极耦接所述第1晶体管的源极电极，所述第2晶体管的闸极电极耦接所述第2晶体管的汲极电极，且所述第2晶体管的源极电极耦接所述电源。

13.如权利要求12所述的发光装置，其特征在于，所述第2晶体管的结构与所述第1晶体管相同，且所述第2晶体管形成于所述基板上。

14.如权利要求7所述的发光装置，其特征在于，所述电源为直流电源，可配置于所述发光装置外或发光装置内。

15.如权利要求7所述的发光装置，其特征在于，所述电源为交流电源，可配置于所述发光装置外或发光装置内。

16.如权利要求15所述的发光装置，其特征在于，还包括：

一第2二极管；及

一第2电流稳定单元，电性连接于所述第2二极管与所述电源之间，

其中所述第1发光二极管于正电压半周期导通，所述第2二极管于负电压半周期导通。

17.如权利要求16所述的发光装置，其特征在于，所述第1发光二极管与所述第2二极管为成对交错配置。