[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201310031909.9 | 申请日： | 2013-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN103227198A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 秋山深一;细田勉;宫本真人 | 申请（专利权）人： | 富士通半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;陈昌柏 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种化合物半导体器件，包括：
电子渡越层；
电子供应层，形成在所述电子渡越层的上方；
二维电子气抑制层，形成在所述电子供应层的上方；
绝缘膜，形成在所述二维电子气抑制层和所述电子渡越层的上方；以及
栅极电极，形成在所述绝缘膜的上方，
其中，所述栅极电极与所述二维电子气抑制层电连接。
2.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，还包括：源极电极和漏极电极，形成在所述电子供应层的上方，在平面图中所述源极电极和所述漏极电极将所述二维电子气抑制层夹在中间，
其中，所述栅极电极在位于所述绝缘膜上方的一部分的源极电极侧的接触表面处与所述二维电子气抑制层电连接。
3.根据权利要求1或2所述的化合物半导体器件，其中，
所述电子渡越层为GaN层，
所述电子供应层为AlGaN层，以及
所述二维电子气抑制层为p型GaN层。
4.根据权利要求3所述的化合物半导体器件，其中，
所述AlGaN层的厚度为5nm或更大以及40nm或更小，以及
所述AlGaN层的Al分数为15%或更大以及小于40%。
5.根据权利要求2所述的化合物半导体器件，还包括：场板，位于所述栅极电极和所述漏极电极之间，且与所述源极电极电连接。
6.根据权利要求5所述的化合物半导体器件，其中，所述场板与所述电子供应层之间沿厚度方向的距离比位于所述绝缘膜上方的该部分与所述二维电子气抑制层之间沿厚度方向的距离短。
7.根据权利要求5或6所述的化合物半导体器件，其中，凹陷形成在所述场板下方的所述电子供应层的表面处。
8.根据权利要求2所述的化合物半导体器件，其中，所述栅极电极覆盖所述源极电极与所述漏极电极之间的整个所述二维电子气抑制层。
9.根据权利要求1或2所述的化合物半导体器件，其中，所述绝缘膜的厚度为20nm或更大以及500nm或更小。
10.一种电源装置，包括：
化合物半导体器件，其包括：
电子渡越层；
电子供应层，形成在所述电子渡越层的上方；
二维电子气抑制层，形成在所述电子供应层的上方；
绝缘膜，形成在所述二维电子气抑制层和所述电子渡越层的上方；以及
栅极电极，形成在所述绝缘膜的上方，
其中，所述栅极电极与所述二维电子气抑制层电连接。
11.一种放大器，包括：
化合物半导体器件，其包括：
电子渡越层；
电子供应层，形成在所述电子渡越层的上方；
二维电子气抑制层，形成在所述电子供应层的上方；
绝缘膜，形成在所述二维电子气抑制层和所述电子渡越层的上方；以及
栅极电极，形成在所述绝缘膜的上方，
其中，所述栅极电极与所述二维电子气抑制层电连接。
12.一种化合物半导体器件的制造方法，包括：
在电子渡越层的上方形成电子供应层；
在所述电子供应层的上方形成二维电子气抑制层；
在所述二维电子气抑制层和所述电子渡越层的上方形成绝缘膜；以及
在所述绝缘膜的上方形成栅极电极，
其中，所述栅极电极与所述二维电子气抑制层电连接。
13.根据权利要求12所述的化合物半导体器件的制造方法，还包括：在所述电子供应层的上方形成源极电极和漏极电极，在平面图中所述源极电极和所述漏极电极将所述二维电子气抑制层夹在中间，
其中，所述栅极电极在所述栅极电极的一部分的源极电极侧与所述二维电子气抑制层电连接，所述部分位于所述绝缘膜的上方。
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