[发明专利]制备低密度、长波长InAs/GaAs 量子点的方法无效
| 申请号： | 201310032256.6 | 申请日： | 2013-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN103137789A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 张世著;叶小玲;徐波;王占国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 密度 波长 inas gaas 量子 方法 | ||
1.一种制备低密度、长波长InAs/GaAs量子点的方法，包括如下步骤：
步骤1：取一衬底；
步骤2：在衬底上淀积生长缓冲层；
步骤3：在缓冲层上淀积生长InAs层，未到临界厚度时暂停淀积生长；
步骤4：将生长有InAs层的衬底退火；
步骤5：将退火后的衬底升温；
步骤6：二次淀积生长InAs层；
步骤7：在二次淀积生长的InAs层上淀积生长GaAs盖层，得到低密度、长波长InAs/GaAs量子点结构。
2.根据权利要求1所述的制备低密度、长波长InAs/GaAs量子点的方法，其中衬底和缓冲层的材料为GaAs。
3.根据权利要求1所述的制备低密度、长波长InAs/GaAs量子点的方法，其中淀积生长InAs层的温度为470℃-490℃，生长速率为0.01-0.1ML/s，暂停淀积生长的InAs层比临界厚度小0.05-0.5ML。
4.根据权利要求1所述的制备低密度、长波长InAs/GaAs量子点的方法，其中退火的温度为470℃490℃，退火的时间为30秒300秒。
5.根据权利要求1所述的制备低密度、长波长InAs/GaAs量子点的方法，其中所述升温的温度为500℃-535℃。
6.根据权利要求1所述的制备低密度、长波长InAs/GaAs量子点的方法，其中二次淀积生长InAs层的厚度为0.1-0.3ML。
7.根据权利要求6所述的制备低密度、长波长InAs/GaAs量子点的方法，其中二次淀积生长InAs层的淀积速率为0.001-0.01ML/s。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
