[发明专利]多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片

权利要求书

1.多晶硅锭的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）在坩埚底部铺设微晶形核层，所述微晶形核层为微晶硅、无定形硅、微晶硅化物材料和无定形硅化物材料中的一种或几种；所述微晶形核层的厚度为第一高度值；

（2）在所述微晶形核层上方填装硅料，加热使所述硅料熔化形成硅熔体，待所述硅料完全熔化后形成的固液界面刚好处在或深入微晶形核层时，调节热场形成过冷状态，使所述硅熔体在微晶形核层基础上开始长晶；

（3）待全部硅熔体结晶完后，经退火冷却得到多晶硅锭。

2.如权利要求1所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，当所述微晶形核层为微晶硅或无定形硅或两者混合时，待所述硅料完全熔化形成的固液界面深入微晶形核层且距所述坩埚底部的高度为大于等于1mm时，调节热场形成过冷状态，使所述硅熔体在微晶形核层基础上开始长晶；当所述微晶形核层为微晶硅化物材料或无定形硅化物材料或两者混合时，待所述硅料完全熔化，所述硅化物不熔化时，即形成的固液界面刚好处在微晶形核层时，调节热场形成过冷状态，使所述硅熔体在微晶形核层基础上开始长晶。

3.如权利要求2所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，当所述微晶形核层为微晶硅或无定形硅或两者混合时，待所述硅料完全熔化形成的固液界面深入微晶形核层且距所述坩埚底部的高度为大于等于5mm时，调节热场形成过冷状态，使所述硅熔体在微晶形核层基础上开始长晶。

4.如权利要求1或2所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，所述微晶硅化物材料或无定形硅化物材料为熔点高于硅熔点的硅化物。

5.如权利要求4所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，所述微晶硅化物材料为微晶玻璃或微晶陶瓷；所述无定形硅化物材料为无定形玻璃或熔融石英。

6.如权利要求1所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，所述微晶硅或无定形硅，以及微晶硅化物材料或无定形硅化物材料为棒状、块状、片状、条状或颗粒状。

7.如权利要求1所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，所述第一高度值为1～150mm。

8.如权利要求4所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，当所述微晶形核层为熔点高于硅熔点的微晶硅化物材料或无定形硅化物材料或两者混合时，所述第一高度值为0.01～30mm。

9.多晶硅锭，其特征在于，所述多晶硅锭按照如权利要求1～8中任一权利要求所述的制备方法制得。

10.多晶硅片，其特征在于，所述多晶硅片为以如权利要求9所述的多晶硅锭为原料进行开方-切片-清洗后制得。