[发明专利]一种半导体测试方法有效
申请号: | 201310033092.9 | 申请日: | 2013-01-29 |
公开(公告)号: | CN103091617B | 公开(公告)日: | 2017-08-15 |
发明(设计)人: | 连晓谦;凌耀君;王明;陈寒顺;许文慧 | 申请(专利权)人: | 无锡华润上华科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 马晓亚 |
地址: | 214028 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 测试 方法 | ||
1.一种半导体测试方法,所述方法包括,测试头具有探针,当需要测试半导体产品时,产品上的测试接触焊垫位于测试头的下方,测试头向下压使探针接触测试接触焊垫以进行测试,其特征在于,在第一次扎针的基础上还进行第二次扎针从而增加探针与所述焊垫纵向的接触面积;
所述第一次扎针的深度作为第二次扎针的起始接触点,第一次扎针与第二次扎针的扎针位置和针压保持不变,其中所述针压以圆片和针尖刚接触时针尖再往下扎的深度来表示。
2.如权利要求1所述的方法,包括步骤:
步骤1,选择测试模块;
步骤2,测试模块第一次扎针;
步骤3,测试模块第二次扎针;
步骤4,选择量测端口;
步骤5,加上测量信号;
步骤6,测量端口的信号;
步骤7,控制终端进行数据处理。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述步骤4的量测端口为信号发送测量单元SMU、电容测量单元CMU或脉冲测量单元PGU。
4.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述步骤5的测量信号为电流、电压或脉冲测量信号。
5.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述步骤6的测量端口的信号为端口的电压、电流或电容信号。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润上华科技有限公司,未经无锡华润上华科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310033092.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体器件和传感器系统
- 下一篇:自粘式框架
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造