[发明专利]一种电容式压力传感器的制备方法

权利要求书

1.一种体硅工艺制成的压力传感器，该压力传感器自上而下包括上玻璃板，硅敏感膜片，下玻璃电极板。其特征在于，所述方法包括以下步骤：玻璃电极的加工步骤：采用玻璃作为下极板，在玻璃板上采用淀积工艺淀积金属，作为电极，并图形化电极形成电极引线和压焊电极.敏感膜片的加工：采用硅片作为基片，在背面腐蚀出电容间隙，淀积电极，和玻璃电极键合后，腐蚀出正面的硅岛。硅岛为变截面型硅岛。打孔玻璃键合：腐蚀出硅岛后，与打孔玻璃键合在一起。划片：通过划片完成裂片和压焊电极的露出。

2.根据权利要求1所述电容式压力传感器的制造方法，玻璃电极的制造方法包括电极和引线以及阳极键合时为避免静电吸合而制作的电极。金属层生长步骤，在玻璃基片上形成金属层；金属层图形化步骤，图形化所述金属层，形成所述电容式压力传感器的一个极板的电极，电信号引出线以及压焊电极。

3.根据权利要求1所述的电容式压力传感器的制造方法，其特征在于当采用单晶硅基片作为敏感电极膜片时，膜片的的制造方法包括电容间隙的制造和硅岛的制造，在电容间隙制造制造时包括电极引出槽和防进水槽的设计，以及防止静电吸合时接触电极。在腐蚀硅岛时采用KOH溶液作为腐蚀液，腐蚀出变截面(八角形)膜片。

膜片的加工步骤为，

热氧化生长步骤，通过热氧化在单晶硅基片上形成绝缘层.电容间隙腐蚀步骤，背面光刻SiO₂，用TMAH溶液腐蚀出电容间隙及防止后续键合进水装置。电容极板金属制作步骤，淀积金属，并图形化金属电极，形成电容的硅极板电极及引线及压焊电极。

4.根据权利要求1，硅岛的制备方法为，先将制备好的玻璃极板和硅极板以静电键合的方法键合在一起，键合完成后背面玻璃用胶保护，正面光刻，并腐蚀出硅岛。

5.根据权利要求1，电容式压力传感器的制备方法，将腐蚀好的硅岛与打孔玻璃键合在一起。

6.根据权利要求1，电容式压力传感器的制备方法，通过划片完成裂片和电容间隙的露出。