[发明专利]一种场发射光源无效
申请号: | 201310033641.2 | 申请日: | 2013-01-29 |
公开(公告)号: | CN103972032A | 公开(公告)日: | 2014-08-06 |
发明(设计)人: | 周明杰;吴康锋;陈贵堂 | 申请(专利权)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
主分类号: | H01J63/06 | 分类号: | H01J63/06;H01J63/02 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发射 光源 | ||
技术领域
本发明涉及一种光源,尤其涉及一种场发射光源。
背景技术
场发射光源一种绿色节能照明光源,其原理是利用阴极平板上的电子发射层发射出电子束,并且在电场的作用下,电子束轰击激发阳极平板上的发光层而发出均匀的可见光。
在一些特殊光源应用场合中,如交通指示灯、墙壁指示灯,需要该场发射光源双面发光显示,以达到双面可观的目的。然而,现有的场发射光源多为单面发光显示,通常将两个现有的场发射光源相反方向设置,以达到光源双面发光显示的目的。但是该装置需两套驱动系统以使得上述两个场发射光源发光,线路复杂,可靠性差,且成本高,不利于实际推广应用。
现有场发射光源的阴极平板的电子发射层,通常是采用小块薄膜以阵列形式涂覆于玻璃基板的两侧面。然而在场发射过程中,从该小块薄膜表面垂直发射的电子束只能轰击和该小块薄膜面积相当的阳极发光层,因而出光面积较小,导致未被电子束轰击的阳极发光层形成暗区,应用于照明领域有局限性。
当所述场发射光源的阴极平板的电子发射层,采用大面积的薄膜纳米材料涂覆于玻璃基板的两侧面时,在场发射过程中,薄膜纳米材料本身的电阻,和该薄膜纳米材料与玻璃基板间的接触电阻均会增加。当电流通过上述电阻时,产生的焦耳热量较大,热量积累增加损坏该阴极平板的可能性,进而影响场发射光源工作的稳定性。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于,提供一种可简易实现双面发光显示,且出光效率较高的场发射光源。
为了解决上述技术问题,本发明的实施例提供了一种场发射光源,包括阴极平板、两个阳极平板及隔离体架,所述阴极平板包括阴极发射体结构,所述阴极发射体结构包括电子发射层,所述电子发射层的表面呈环形凸起,两个所述阳极平板分别对称设于所述阴极平板两侧,所述阴极平板及两个所述阳极平板均适配固定于所述隔离体架的内壁,所述隔离体架与所述阴极平板及两个所述阳极平板构成封闭结构。
其中,所述阴极发射结构还包括支撑部,所述支撑部包括相对设置的第一侧面和第二侧面,所述支撑部的第一侧面呈环形凸起,所述电子发射层覆盖于所述支撑部的第一侧面上。
其中,所述电子发射层为生长于所述支撑部的第一侧面的纳米线薄膜。
其中,所述电子发射层的材质为碳纳米管薄膜,所述支撑部的材质为不锈钢。
其中,所述阴极平板包括阴极基板、两个阴极导电层、两个反光层及两个所述阴极发射体结构,两个所述阴极导电层分别覆盖于所述阴极基板的两表面,所述阴极导电层包括第一区域,和处于所述第一区域中心的第二区域,所述反光层仅覆盖于所述阴极导电层的所述第一区域上,两个所述阴极发射体结构的所述支撑部的第二侧面分别对应的固定贴合于所述阴极导电层的所述第二区域上。
其中,所述支撑部的第二侧面经银浆粘接贴合于所述阴极导电层的所述第二区域上。
其中,所述支撑部的所述第二侧面呈环形。
其中,所述阳极平板依次包括阳极发光层、阳极导电层及阳极基板,所述阳极导电层覆盖于所述阳极基板的内壁,所述阳极发光层覆盖于所述阳极导电层的表面,两个所述阳极平板的涂层相同,且涂层顺序关于所述阴极平板对称。
其中,所述隔离体架的内壁设多条凹槽,所述阴极平板及两个所述阳极平板均适配嵌入所述凹槽内。
其中,所述隔离体架与所述阴极平板及两个所述阳极平板构成的封闭结构,所述封闭结构的真空度为1×10-5Pa。
综上,本发明实施例的场发射光源包括双面都含有所述电子发射层的所述阴极平板,及两个作为荧光屏的所述阳极平板,所述阴极平板设于两个所述阳极平板之间,通过所述电子发射层发射电子轰击分别对应所述阳极发光层从而实现光源双面显示的目的。所述场发射光源结构简单,实用性强。
本发明采用环形凸起表面的所述支撑部,当在其表面覆盖上薄膜纳米材料作为所述电子发射层,垂直环形凸起表面发射的电子束以一定的分散角度轰击所述阳极发光层,轰击领域的面积与现有的平面形式的电子发射层一样大,而小面积的所述电子发射层能减小其本身的电阻,及所述电子发射层与所述阴极基板的电阻,从而减少电流流过上述电阻时的焦耳热量,增加了所述场发射光源工作的稳定性。所述隔离体架与所述阴极平板及两个阳极平板易于封装,提高了所述场发射光源的真空度。
附图说明
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