[发明专利]一种氧化锌纳米颗粒/二氧化硅复合结构纳米棒的制备方法有效
申请号: | 201310033723.7 | 申请日: | 2013-01-29 |
公开(公告)号: | CN103050640A | 公开(公告)日: | 2013-04-17 |
发明(设计)人: | 孙晔;尹永琦;于淼;刘潇;杨彬;曹文武 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人: | 金永焕 |
地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氧化锌 纳米 颗粒 二氧化硅 复合 结构 制备 方法 | ||
1.一种氧化锌纳米颗粒/二氧化硅复合结构纳米棒的制备方法,其特征在于氧化锌纳米颗粒/二氧化硅复合结构纳米棒的制备方法是通过以下步骤进行:
一、ZnO陶瓷靶材的制备:利用固相烧结法制备ZnO陶瓷靶材;
二、将衬底采用99.5wt%丙酮、99.7wt%乙醇、18MΩ的去离子水和99.5wt%甲醇依次进行超声清洗5~60min,得到清洗后的衬底;
三、ZnO籽晶层的制备:利用脉冲激光沉积法、磁控溅射、旋涂法、化学气相沉积法或热传输法在清洗后的衬底上制备ZnO籽晶层,得到具有ZnO籽晶层的衬底;
四、超细ZnO纳米棒阵列的制备:利用水热法、脉冲激光衬底法、热蒸发气相沉积法、化学气相沉积法或热传输法在具有ZnO籽晶层的衬底上生长直径为5~100nm ZnO纳米棒阵列,得到超细ZnO纳米棒阵列;
五、氧化锌纳米颗粒/二氧化硅复合结构纳米棒的制备:以1~100mL无水乙醇作为溶剂,加入10μL~1000μL硅源材料,搅拌1~30min,然后将超细ZnO纳米棒阵列浸入溶剂中,继续搅拌1~30min,再加入1~30mL碱性催化剂,室温下反应1~48h后取出,依次用去离子水和无水乙醇或甲醇超声清洗1~60min后烘干,即得到氧化锌纳米颗粒/二氧化硅复合结构纳米棒。
2.根据权利要求1所述的一种氧化锌纳米颗粒/二氧化硅复合结构纳米棒的制备方法,其特征在于步骤二的衬底为硅片、二氧化硅片、蓝宝石片或玻璃片。
3.根据权利要求1所述的一种氧化锌纳米颗粒/二氧化硅复合结构纳米棒的制备方法,其特征在于步骤五中的硅源材料为正硅酸乙酯、正硅酸甲酯、3-氨丙基三乙氧基硅烷或硅酸钠。
4.根据权利要求1所述的一种氧化锌纳米颗粒/二氧化硅复合结构纳米棒的制备方法,其特征在于步骤五中的碱性催化剂为5~28wt%的氨水、96wt%氢氧化钠、90wt%氢氧化钾或99wt%六次甲基四胺溶液。
5.根据权利要求1所述的一种氧化锌纳米颗粒/二氧化硅复合结构纳米棒的制备方法,其特征在于步骤五中的烘干为在50~300℃的条件下烘干1~120min。
6.根据权利要求1所述的一种氧化锌纳米颗粒/二氧化硅复合结构纳米棒的制备方法,其特征在于步骤五中加入的超细ZnO纳米棒阵列为具有ZnO晶体c轴择优取向的超细ZnO纳米棒阵列。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工业大学,未经哈尔滨工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310033723.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:随机数生成装置和方法
- 下一篇:基于磁盘阵列虚拟化的存储实验系统及方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择