[发明专利]一种半导体器件的终止结构有效
| 申请号： | 201310033999.5 | 申请日： | 2011-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN103151379A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 管灵鹏;安荷·叭剌;朱廷刚;马督儿·博德 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 美国加利福尼亚州94*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 终止 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一个半导体器件的终止结构，其特征在于，包括：
一个通道停止场板，位于半导体材料的边缘附近的半导体材料的表面上，其中通道停止场板利用半导体材料构成一个肖特基型停止通道。
2.如权利要求1所述的半导体器件的终止结构，其特征在于，通道停止场板的金属部分连接到半导体材料的轻掺杂部分。
3.如权利要求1所述的半导体器件的终止结构，其特征在于，终止结构形成在一个含有半导体器件的晶片上，其中所述的半导体器件为一个MOSFET。
4.如权利要求1所述的半导体器件的终止结构，其特征在于，终止结构形成在一个含有半导体器件的晶片上，其中所述的半导体器件为一个超级结器件。
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