[发明专利]一种阵列基板、显示面板及装置有效
申请号: | 201310034119.6 | 申请日: | 2013-01-29 |
公开(公告)号: | CN103091922A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
发明(设计)人: | 曲连杰;郭建;王德帅;史大为 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;H01L23/60;H05F3/04 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示 面板 装置 | ||
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板、显示面板及装置。
背景技术
无论在日常生活中还是工业生产中,静电都和我们关系很大,在电子行业的生产中,轻微的静电都会使得电子器件失效,极大地影响生产效率和良品率,甚至使得生产不能顺利进行。
电子器件生产中的静电防护一方面可以通过对生产环境的温度,湿度等条件的控制,减少静电的发生,还可以通过对器件本身的静电防护(ESD,Electro-Static Discharge)装置降低静电对电子器件的影响。为了防止在生产和存储过程中产生静电对显示面板产生较大影响,通常在如图1所示的显示面板1的周边设置有圆环形阴影部分所示的静电防护单元2。若图1所示静电防护单元2为单层金属静电防护单元,将其中部分结构4放大后的图案如图2(a)或者图2(b)所示,从图2(a)可以看出,所述静电防护单元2中包括金属层M和放电单元D1,从图2(b)中可以看出所述静电防护单元2中包括金属层M和放电单元D2,并且放电单元D1和D2的放电能力最强的主要放电尖端都指向显示面板的内部,即显示区域3,通过尖端和空气之间放电,防止电荷积累。
若图1中所示静电防护单元2为多层金属静电防护单元单元,将其部分放大后的图案如图3(a)或者图3(b)所示,所述多层金属静电防护单元一般采用金属层之间放电来形成,从图3(a)和图3(b)中还可以看出,所述静电防护单元中2包括两个金属层M,所述金属层上设置有放电单元D1或放电单元D2,主要放电点位于两层金属接触最近的点,通过尖端在两层之间发生放电,从而有效的将电荷中和,降低静电的影响。
但是,上述所有构型的放电单元,容易造成电荷的分散分布,使得电荷不能有效释放,从而增加电荷积累的密度,增大静电的危害。
发明内容
本发明实施例提供了一种阵列基板、显示面板及装置,用以解决现有技术中静电防护图案放电能力较低的问题,同时提高显示面板的良率和抗静电能力。
本发明实施例提供了一种阵列基板,该阵列基板周边区域上设置有一圈静电防护单元,所述静电防护单元包括金属层,及金属层的一侧设置的一个或多个放电单元,其中,至少一个放电单元包括至少5个尖端,包括放电尖端和非放电尖端;所述放电单元包括至少1个放电尖端,并且,所述放电单元包括至少一个与金属层共同构成的尖端,且通过所述尖端的放电单元的侧面与金属层的侧面之间的夹角大于90°。
本发明实施例提供了一种显示面板,该显示面板所述的阵列基板。
本发明实施例提供了一种显示装置,该显示装置包括所述的显示面板。
本发明实施例提供的阵列基板,该阵列基板上设置有静电防护单元,所述静电防护单元包括金属层,该金属层的一侧设置有一个或多个放电单元;其中,至少一个放电单元包括至少5个尖端,包括放电尖端和非放电尖端;所述放电单元包括至少1个放电尖端,并且,所述放电单元包括至少一个与金属层共同构成的尖端,且通过所述尖端的放电单元的侧面与金属层的侧面之间的夹角大于90°,放电尖端与金属层之间形成多个比较平缓的凹形尖端,减少了电荷在除主要放电尖端外的其它部位的聚集,促使电荷更多的聚集在主要放电尖端上,从而增强了阵列基板的放电能力。
附图说明
图1为具有静电防护单元的显示面板的结构俯视图;
图2(a)为现有技术中一种单层金属静电防护单元的结构俯视图;
图2(b)为现有技术中另一种单层金属静电防护单元的结构俯视图;
图3(a)为现有技术中一种多层金属静电防护单元的结构示意图;
图3(b)为现有技术中另一种多层金属静电防护单元的结构示意图;
图4为本发明实施例一提供的一种单层金属静电防护单元的结构示意图;
图5为本发明实施例二提供的一种单层金属静电防护单元的结构示意图;
图6为本发明实施例三提供的一种多层金属静电防护单元的结构示意图;
图7为本发明实施例四提供的一种多层金属静电防护单元的结构示意;
图8为本发明实施例五提供的一种多层金属静电防护单元的结构示意图。
具体实施方式
本发明实施例提供了一种阵列基板、显示面板及装置,用以解决现有技术中静电防护单元放电能力较低的问题,同时提高显示面板的良率和抗静电能力。
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