[发明专利]一种用于等离子处理腔室的石英组件及等离子体处理设备

权利要求书

1.一种用于等离子处理腔室的石英组件，其特征在于，所述石英组件由氧化硅基材料制成，其中，所述氧化硅基材料包括：

氧化硅材料，所述氧化硅材料所占的比例大于或等于总组分的50％；

掺杂剂，所述掺杂剂包括导电性掺杂剂以及抗性掺杂剂，其中，所述导电性掺杂剂用以加强所述氧化硅材料的导电性，其所占比例小于总组分的20％，所述抗性掺杂剂用以加强所述氧化硅材料的等离子阻抗。

2.根据权利要求1所述的石英组件，其特征在于，所述石英组件包括如下部件中的至少一个：

聚焦环；以及

保护环。

3.根据权利要求1所述的石英组件，其特征在于，所述导电性掺杂剂由铟(In)、锡(Sn)中的任一种或多种组成。

4.根据权利要求1所述的石英组件，其特征在于，所述抗性掺杂剂由钇(Y)、铝(Al)、铒(Er)、钬(Ho)、镝(Dy)、铪(Hf)、氟(F)中的任一种或多种组成。

5.根据权利要求3或4所述的石英组件，其特征在于，所述掺杂剂为金属、合金或氧化物中的任一种。

6.根据权利要求1所述的石英组件，其特征在于，所述氧化硅材料所占比例为总组分的50％，所述导电性掺杂剂所占比例为总组分的10％，所述抗性掺杂剂所占比例为总组分的40％。

7.根据权利要求1所述的石英组件，其特征在于，所述氧化硅材料所占比例为总组分的50％，所述导电性掺杂剂所占比例为总组分的15％，所述抗性掺杂剂所占比例为总组分的35％。

8.根据权利要求1所述的石英组件，其特征在于，所述氧化硅材料所占比例为总组分的60％，所述导电性掺杂剂所占比例为总组分的5％，所述抗性掺杂剂所占比例为总组分的35％。

9.一种石英组件的制备方法，其包括如下步骤：

a.将所述氧化硅材料、抗性掺杂剂以及导电性掺杂剂进行熔化混合；

b.对混合后的材料进行冷凝形成石英组件。

10.根据权利要求9所述的石英组件的制备方法，其特征在于，所述步骤a还包括如下步骤：

a1.对所述氧化硅材料进行热处理，使其熔化；

a2.在等温条件下，加入所述抗性掺杂剂以及导电性掺杂剂。

11.根据权利要求9所述的石英组件的制备方法，其特征在于，所述步骤a还包括如下步骤：

a1′.将所述氧化硅材料、抗性掺杂剂以及导电性掺杂剂同时进行热处理，使其全部熔化。

12.根据权利要求10或11所述的石英组件的制备方法，其特征在于，所述热处理的温度较所述氧化硅材料、抗性掺杂剂以及导电性掺杂剂中最高的熔点温度高100～200℃。

13.一种等离子体处理设备，其包括：

处理腔室；

静电卡盘；所述静电卡盘位于所述处理腔室内，用于放置代加工晶片；

其特征在于，还包括根据权利1至7中任一项所述的石英组件，所述石英组件安装于所述静电卡盘的外侧。