[发明专利]高密度存储智能卡模块及其制造方法无效
| 申请号： | 201310034311.5 | 申请日： | 2013-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN103164737A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 陈松 | 申请（专利权）人： | 三星半导体（中国）研究开发有限公司;三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G06K19/077 | 分类号： | G06K19/077 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 郭鸿禧;韩芳 |
| 地址： | 215021 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高密度 存储 智能卡 模块 及其 制造 方法 | ||
1.一种高密度存储智能卡模块，包括：
存储卡，具有通用存储卡的功能，所述存储卡具有第一数据端至第四数据端、第一电源端、第一接地端、第一时钟端以及指令端；
智能卡，具有通用SIM卡的功能，所述智能卡具有第二电源端和第二接地端、第二时钟端、IO端和重置端，
其中，存储卡与智能卡设置在同一封装件中，第一电源端和第二电源端、第一接地端和第二接地端以及第一时钟端与第二时钟端中的至少一对分别共用相同的端子。
2.如权利要求1所述的高密度存储智能卡模块，其中，所述存储卡还包括第一天线端和第二天线端，所述智能卡还包括第三天线端和第四天线端，其中，第一天线端和第三天线端以及第二天线端和第四天线端中的至少一对分别共用相同的端子。
3.如权利要求1或2所述的高密度存储智能卡模块，其中，智能卡的芯片设置在存储卡的芯片上方。
4.如权利要求1或2所述的高密度存储智能卡模块，其中，所述封装件被形成为通用SIM卡、Micro SIM卡、Mini SIM卡、Nano SIM卡和M2M SIM卡的形状及大小。
5.一种制造高密度存储智能卡模块的方法，该方法包括下述步骤：
制备具有通用存储卡的功能的存储卡，所述存储卡具有第一数据端至第四数据端、第一电源端、第一接地端、第一时钟端以及指令端；
制备具有通用SIM卡的功能的智能卡，所述智能卡具有第二电源端和第二接地端、第二时钟端、IO端和重置端；
将存储卡与智能卡设置在同一封装件中，
其中，第一电源端和第二电源端、第一接地端和第二接地端以及第一时钟端与第二时钟端中的至少一对分别共用相同的端子。
6.如权利要求5所述的方法，其中，所述存储卡还包括第一天线端和第二天线端，所述智能卡还包括第三天线端和第四天线端，其中，第一天线端和第三天线端以及第二天线端和第四天线端中的至少一对分别共用相同的端子。
7.如权利要求5或6所述的方法，其中，智能卡的芯片设置在存储卡的芯片上方。
8.如权利要求5或6所述的方法，其中，所述封装件被形成为通用SIM卡、Micro SIM卡、Mini SIM卡、Nano SIM卡和M2M SIM卡的形状及大小。
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