[发明专利]形成图案的方法

权利要求书

1.一种形成衬底图案的方法，所述方法包括：

接收衬底；

在所述衬底上形成底层和中间层，所述中间层位于所述底层上方；

在所述中间层上形成光刻胶图案；

在所述光刻胶图案上沉积蚀刻涂层；

将所述蚀刻涂层和所述光刻胶图案用作掩膜元件来图案化所述中间层和所述底层中的至少一个；以及

将图案化的中间层和图案化的底层中的至少一个用作掩膜元件来蚀刻衬底，以在所述衬底中形成所述衬底图案。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述衬底图案上形成第二光刻胶图案；以及

使用所述第二光刻胶图案执行光刻曝光工具校准。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述光刻曝光工具校准包括测量所述第二光刻胶图案和所述衬底图案之间的偏移。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述中间层包括沉积掺有硅(Si)的底部抗反射涂层(BARC)。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述BARC中的硅(Si)浓度范围在大约1％至大约8％之间。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述蚀刻涂层包括使用等离子体工艺。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，沉积所述蚀刻涂层包括使用有机链烷和有机链烷混合物中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，使用设置在所述光刻胶图案的侧壁上的所述蚀刻涂层。

9.一种形成衬底图案的方法，所述方法包括：

接收衬底，所述衬底具有底层、位于所述底层上方的中间层和位于所述中间层上方的光刻胶层；

使用在第一光刻曝光工具上执行的光刻工艺来图案化所述光刻胶层；

在图案化的光刻胶层的侧壁上形成蚀刻涂层；以及

通过执行蚀刻工艺在所述衬底中形成衬底图案，其中，执行所述蚀刻工艺包括所述中间层的第一蚀刻、所述底层的第二蚀刻和所述衬底的第三蚀刻，所述第一蚀刻、所述第二蚀刻和所述第三蚀刻均提供了通过所述光刻胶层和所述蚀刻涂层限定的图案。

10.一种校准曝光工具的方法，所述方法包括：

在衬底中形成衬底图案，形成所述衬底图案包括：

提供具有设置在其上的蚀刻涂层的第一图案化光刻胶层；

使用所述第一图案化光刻胶层来图案化下面的层；和

当蚀刻所述衬底图案时，将图案化的下面的层用作掩膜元件；

在所述衬底图案上方形成第二光刻胶图案；以及

执行所述第二光刻胶图案与所述衬底图案的覆盖测量。