[发明专利]一种高纯硅的制备方法无效
| 申请号： | 201310034809.1 | 申请日： | 2013-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN103072992A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 马文会;余文轴;魏奎先;任永生;伍继君;谢克强;刘永成;周阳;郁青春;刘大春;杨斌;戴永年 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高纯硅的制备方法，其特征在于经过下列各步骤：
（1）预处理：将不同含量的过共晶铝硅合金原料磨成100目的细粉，并研磨均匀，然后压块，并以氩气为保护气氛，在温度为670～2500℃下进行加热至熔化，反应时间为2～200分钟；
（2）电磁定向凝固气泡吸杂处理：将步骤（1）预处理后的物料以凝固速率为1～10000μm/s进行向上或向下的定向凝固处理，并同时在物料外部施加磁感应强度为1～100T的磁场，析出初晶硅和共晶铝硅合金；
（3）切割分离：将步骤（2）所得的物料沿初晶硅和共晶铝硅合金的界面处进行切割分离，分别得到初晶硅和共晶铝硅合金；
（4）酸洗处理：将步骤（3）所得的初晶硅进行酸洗处理，再经研磨、干燥，即得到高纯硅粉末。
2.根据权利要求1所述的高纯硅的制备方法，其特征在于：所述步骤（1）的不同含量的过共晶铝硅合金原料是指多种不同铝硅含量的过共晶铝硅合金作为原料。
3.根据权利要求1或2所述的高纯硅的制备方法，其特征在于：所述步骤（4）的酸洗处理是用浓度为0.1～1000mol/L的酸溶液进行酸洗1～1000分钟。
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