[发明专利]微纳尺度静电力开关及其制造方法

权利要求书

1.一种微纳尺度静电力开关，包括：

衬底，包括绝缘层与背电极；

源电极与漏电极，位于衬底上，沿第一方向排列；

支撑电极，位于衬底上，沿第二方向排列；

石墨烯层，位于支撑电极上并与其电连接；

源漏电极连接层，沿第一方向延伸，与源电极和漏电极电连接。

2.如权利要求1的微纳尺度静电力开关，其中，石墨烯层包括单晶结构。

3.如权利要求1的微纳尺度静电力开关，其中，背电极位于绝缘层上方或者下方。

4.如权利要求1的微纳尺度静电力开关，其中，绝缘层和/或背电极上还具有钝化保护层。

5.如权利要求1的微纳尺度静电力开关，其中，石墨烯层与源漏电极连接层之间还具有介质层。

6.如权利要求1的微纳尺度静电力开关，其中，源电极、漏电极、背电极、或支撑电极包括掺杂多晶硅、金属、金属合金、金属氮化物及其组合。

7.一种微纳尺度静电力开关的制造方法，包括：

在绝缘层上方或者下方形成背电极；

在绝缘层上形成支撑电极、源电极和漏电极；

在支撑电极上形成石墨烯层，以及形成与源电极和漏电极电连接

的源漏电极连接层。

8.如权利要求7的微纳尺度静电力开关的制造方法，其中，石墨烯层包括单晶结构。

9.如权利要求7的微纳尺度静电力开关的制造方法，其中，源电极、漏电极、背电极、或支撑电极包括掺杂多晶硅、金属、金属合金、金属氮化物及其组合。

10.如权利要求7的微纳尺度静电力开关的制造方法，其中，通过CVD、PVD形成源电极、漏电极、背电极、或支撑电极。

11.如权利要求7的微纳尺度静电力开关的制造方法，其中，石墨烯层通过转移或者直接生长方法形成。

12.如权利要求7的微纳尺度静电力开关的制造方法，其中，在形成石墨烯层之前还包括：在绝缘层上形成牺牲层；平坦化牺牲层使其与支撑电极齐平。

13.如权利要求12的微纳尺度静电力开关的制造方法，其中，平坦化牺牲层的工艺包括CMP、回刻、SOG回流。

14.如权利要求12的微纳尺度静电力开关的制造方法，其中，牺牲层材质与绝缘层不同。

15.如权利要求12的微纳尺度静电力开关的制造方法，其中，牺牲层包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、DLC及其组合。

16.如权利要求12的微纳尺度静电力开关的制造方法，其中，通过CVD方法形成牺牲层。

17.如权利要求12的微纳尺度静电力开关的制造方法，其中，形成石墨烯层之后进一步包括：采用湿法腐蚀去除牺牲层。

18.如权利要求7的微纳尺度静电力开关的制造方法，其中，形成支撑电极之前进一步包括：在绝缘层和/或背电极上形成钝化保护层。

19.如权利要求7的微纳尺度静电力开关的制造方法，其中，进一步包括在石墨烯层和源漏电极连接层之间形成介质层。