[发明专利]一种LED外延结构无效
| 申请号： | 201310036011.0 | 申请日： | 2013-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN103078018A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 李鸿建;靳彩霞;董志江 | 申请（专利权）人： | 武汉迪源光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 430205 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 led 外延 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种LED外延结构，包括依次层叠的衬底、过渡层、u型氮化镓层、n型氮化镓层、多量子阱层、p型氮化镓层、ITO掺锡氧化铟层、p型电极和形成于n型氮化镓层上的n型电极，其特征在于，还包括p型接触层，所述p型接触层介于p型氮化镓层和ITO掺锡氧化铟层之间，呈锲型结构，且p型接触层的空穴浓度渐变，靠近p型氮化镓层的一测空穴浓度高，远离p型氮化镓层一侧空穴浓度低。
2.根据权利要求1所述一种LED外延结构，其特征在于，所述p型接触层由掺杂Mg或Be的AlyInxGa1-x-yN的半导体层构成，其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y＜1。
3.根据权利要求2所述一种LED外延结构，其特征在于，所述p型接触层的掺杂浓度由下至上依次呈渐变型，靠近p型氮化镓层的一测浓度高，远离p型氮化镓层的一侧浓度低。
4.根据权利要求3所述一种LED外延结构，其特征在于，所述p型接触层掺杂的浓度范围为1*1017/cm3～9*1022/cm3。
5.根据权利要求1-3或4所述一种LED外延结构，其特征在于，所述p型接触层被刻腐蚀前的厚度取值范围为0.01～100μm。
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