[发明专利]一种AMOLED像素驱动电路及方法

说明书

技术领域

本发明涉及AMOLED显示技术领域，具体涉及一种AMOLED像素驱动电路及其驱动方法。

背景技术

基于P型TFT构成的传统2T1C像素驱动电路如图1所示：图中，M1为开关晶体管，用于控制数据线Vdata输入；M2为驱动晶体管，用于控制OLED的发光电流；Cs为存储电容器，用于为驱动晶体管M2的栅极提供偏置及维持电压。

上述的2T1C像素驱动电路在单帧时间内包括两个工作时段，如图2所示：第一时段为数据线Vdata写入时段t1，在该时段内，行扫描线Vscan为低电平，此时开关晶体管M1导通，数据线Vdata经过开关晶体管M1漏源极之间的通道写入到存储电容器Cs上，并同时作用于驱动晶体管M2的栅极，M2导通，驱动发光像素单元OLED发光；第二时段为显示维持时段t2，在该时段内，行扫描线Vscan为高电平，开关晶体管M1处于截止状态，其漏源极之间的通道被关断，数据线Vdata与存储电容器Cs（驱动晶体管M2的栅极）之间的通道被关断。此时，在理论上可以认为存储电容器Cs因开关晶体管M1关断而没有电荷的泄放通路，只能保持开关晶体管M1截止前的状态，Cs两端电压维持不变，M2保持导通并维持发光像素单元OLED发光，直到下一帧周期的行扫描线Vscan到来，开关晶体管M1再次被选通。与扫描信号Vscan对应，数据信号Vdata在扫描信号Vscan为低电平时为包含当前像素灰度值的数据信号，在扫描信号Vscan上升沿到来，即该像素该周期内数据写入结束后，已写入的数据信号保持不变，直到下一帧周期到来该像素写入新的数据信号。

但在实际工程应用中，因开关晶体管M1本身特性的影响，在其关断过程中会有电流继续注入存储电容中，此即为开关晶体管M1的电荷注入效应，目前没有很好的方法从元件本身上对该效应进行抑制。进一步的，由于开关晶体管M1电荷注入效应的影响，原本写入存储电容的数据电压会发生跃变，考虑这种实际情况后Cs两端的电压即驱动晶体管M2的栅极电位将在开关晶体管M1关断后因为M1电荷注入效应的影响而发生变化，加之驱动晶体管M2的IV曲线（电流-电压关系曲线）以及发光像素单元OLED的IVL曲线（电流-电压-亮度关系曲线）的非线性特性的影响，相应像素单元的OLED亮度会在上述帧周期内有所变化，进而容易导致显示图像畸变。如图3所示，电压（voltage）在时间（time）30u（S）与35u(S)之间由A点的Y1=2.5(V)跃变至B点的Y2=2.5437(V)，跃变电压dY1=43.7mv。所以在像素驱动电路中要求尽可能减小或消除开关晶体管M1的电荷注入效应导致的存储电容器Cs两端的电压变化。

传统的一种方法是增大现有的2T1C像素电路的存储电容器Cs的电容值。通过增大电容值可以有效降低开关晶体管M1电荷注入效应及漏电流的影响，但是增大电容值需要在OLED像素单元区域增大电容Cs极板面积，从OLED像素的单元结构可以看出存储电容器Cs与OLED发光区域并列分布于像素区域，增大存储电容器Cs势必影响到面板开口率。

发明内容

本发明的目的是为了减小AMOLED面板因开关晶体管M1的电荷注入效应导致的存储电容器Cs两端电压变化所引起的显示图像畸变的影响，同时不降低像素开口率，提出了一种AMOLED像素驱动方法。

本发明的技术方案是：一种AMOLED像素驱动电路，包括2T1C像素驱动电路，其特征在于，所述驱动电路还包括驱动信号，所述驱动信号包括扫描信号Vscan和数据信号Vdata；

其中，扫描信号Vscan为周期信号，在一个周期内包括两个时段，第一时段Vscan为低电平，第二时段Vscan为高电平，第一时段与第二时段之间包含电压上升沿，第二时段以电压下降沿结束；

数据信号Vdata根据扫描信号Vscan周期性地施加，该数据信号在一个帧周期内包括与当前像素同一列的所有像素的数据信号，各像素数据信号持续时间就是扫描信号Vscan负脉冲宽度，同一列各相邻像素数据信号之间包含电压下降沿。

上述数据信号Vdata中的下降沿起点在时间轴上不早于上述扫描信号Vscan的上升沿的起点且该下降沿终点不晚于该上升沿的终点。

上述数据信号Vdata中的下降沿的终点电压值不高于数据信号Vdata低电平允许范围的最低值。

上述数据信号Vdata中的下降沿的起点和终点在时间轴上与上述扫描信号Vscan的上升沿的起点和终点对齐。

一种AMOLED像素驱动方法，其特征在于包括以下步骤：