[发明专利]一种去除晶圆背面掩膜层的方法在审
| 申请号： | 201310036133.X | 申请日： | 2013-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN103972074A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 李健 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 马晓亚 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 去除 背面 掩膜层 方法 | ||
1.一种去除晶圆背面掩膜层的方法，依次包括以下步骤：
在晶圆的一面生长多晶硅层；
在所述晶圆背面和所述多晶硅层表面生长掩膜层；
其特征在于，该方法还依次包括以下步骤：
将所述晶圆背面朝向喷液机台的喷嘴；
从喷嘴喷射清洗液，去除所述晶圆背面的掩膜层。
2.根据权利要求1所述的去除晶圆背面掩膜层的方法，其特征在于，所述喷液式机台为下喷式机台。
3.根据权利要求1或2所述的去除晶圆背面掩膜层的方法，其特征在于，在喷头喷射清洗液的同时旋转晶圆。
4.根据权利要求1所述的去除晶圆背面掩膜层的方法，其特征在于,所述掩膜层为氮化硅或氮氧化硅，所述清洗液为磷酸。
5.根据权利要求1所述的去除晶圆背面掩膜层的方法，其特征在于,所述掩膜层为氧化硅，并且所述清洗液为氢氟酸。
6.一种采用权利要求1所述的去除晶圆背面掩膜层的方法生产晶圆的方法，其特征在于，依次包括以下步骤：
在晶圆的一面生长多晶硅层；
在所述晶圆背面和所述多晶硅层表面生长掩膜层；
对所述晶圆背面进行清洗；
对所述晶圆正面进行光刻，形成电路图案。
7.根据权利要求6所述的生产晶圆的方法，其特征在于，对所述晶圆背面进行清洗时，旋转所述晶圆。
8.根据权利要求6或7所述的生产晶圆的方法，其特征在于，所述掩膜层为氮化硅或者氮氧化硅，采用的清洗液为磷酸。
9.根据权利要求6或7所述的生产晶圆的方法，其特征在于，所述掩膜层为氮化硅或者氧化硅，采用的清洗液为氢氟酸。
10.根据权利要求6所述的生产晶圆的方法，其特征在于，采用下喷式机台清洗所述晶圆背面的掩膜层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
