[发明专利]一种防止图案缺失的方法及其晶圆制造方法有效
| 申请号： | 201310036476.6 | 申请日： | 2013-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN103972082B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 李健 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 马晓亚 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 防止 图案 缺失 方法 及其 制造 | ||
1.一种防止图案缺失的方法，其特征在于，该方法依次包括以下步骤：
在晶圆的一表面上生长多晶硅层；
在所述多晶硅层表面形成掩膜层；
在所述多晶硅层表面形成的所述掩膜层上形成厚度为4000埃以上的保护层；
去除多余掩膜层；
去除保护层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜层厚度为4000至6000埃之间。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述掩膜层为SiN层或SiON层，并且所述保护层为SiO2层。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述晶圆浸入酸性溶液去除所述掩膜层。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用化学机械抛光法去除所述保护层。
6.一种防止图案缺失的晶圆制造方法，其特征在于，所述方法依次包括以下步骤：
在晶圆上的一表面上生长多晶硅层；
在多晶硅层上形成掩膜层；
在所述掩膜层上形成厚度为4000埃以上的保护层；
去除所述晶圆背面的掩膜层；
去除所述保护层；
刻蚀晶圆形成电路图案。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述掩膜层厚度为4000埃至6000埃之间。
8.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述掩膜层为氮化硅或氮氧化硅，并且所述保护层为氧化硅。
9.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，采用浸入酸式清洗法去除所述掩膜层。
10.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，采用化学机械抛光法去除所述保护层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
