[发明专利]鳍式场效应晶体管牺牲栅极的制作方法有效
| 申请号： | 201310036546.8 | 申请日： | 2013-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN103972093B | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 蒋莉;黎铭琦 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 牺牲 栅极 制作方法 | ||
1.一种鳍式场效应晶体管牺牲栅极的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成氮化硅层；
选择性蚀刻所述氮化硅层和所述半导体衬底，以形成鳍部；所述鳍部两侧形成有凹槽而上表面仍然覆盖所述氮化硅层；
在所述凹槽内形成绝缘介质层，再回蚀刻部分所述绝缘介质层；
沉积第一牺牲栅极层，所述第一牺牲栅极层填充所述鳍部两侧的所述凹槽，并覆盖所述氮化硅层；
采用化学机械平坦化方法研磨所述第一牺牲栅极层，研磨至接触到所述氮化硅层后停止，剩下的所述第一牺牲栅极层位于所述鳍部的两侧；
沉积第二牺牲栅极层，所述第二牺牲栅极层位于所述鳍部的上方；
所述第一牺牲栅极层和所述第二牺牲栅极层为多晶硅层；
所述氮化硅层的厚度为300埃至800埃；
沉积的所述第一牺牲栅极层的厚度为500埃至2000埃。
2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在沉积所述第一牺牲栅极层之前，先进行热氧化处理，以在所述鳍部的暴露表面形成栅极氧化层。
3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述化学机械平坦化方法采用固结磨料抛光垫。
4.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述化学机械平坦化方法采用脯氨酸同系物作为表面活性剂参与研磨。
5.如权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述化学机械平坦化方法在PH值为5.5～5.8的范围内进行。
6.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述化学机械平坦化方法的下压压力为0.5psi～3.0psi。
7.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述化学机械平坦化方法采用的所述固结磨料抛光垫的研磨转速为10rpm～40rpm。
8.如权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述化学机械平坦化采用光学终点侦测器或者电动电势终点侦测器来侦测研磨终点。
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